[发明专利]一种BiCMOS工艺中的VPNP器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110374464.5 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN102412277A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 胡君;刘冬华;段文婷;石晶;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 bicmos 工艺 中的 vpnp 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种BiCMOS工艺中的VPNP器件结构，其特征是，包括：P型衬底顶部形成有P型埋层和深N阱，深N阱顶部形成有N型埋层、P型埋层和集电区，位于深N阱顶部的P型埋层与集电区相邻；集电区上方形成有基区，基区顶部形成有发射区；浅沟槽隔离形成于P型衬底和深N阱上方与集电区和基区相邻；隔离介质形成于基区和浅沟槽隔离上方，多晶硅层形成于基区上方，部分多晶硅层位于隔离介质上方；P型埋层和N型埋层通过深接触孔引出连接金属连线，多晶硅层通过接触孔引出连接金属连线，发射区通过接触孔引出连接金属连线。
2.一种BiCMOS工艺中的VPNP器件结构的制造方法，其特征是，包括：
(1)在P型衬底上制作浅沟槽隔离，注入形成深N阱，在浅沟槽隔离底部注入形成P型埋层和N型埋层；
(2)在深N阱中注入形成P阱，P阱作为器件的集电区；
(3)在集电区中注入形成基区，生长隔离介质，刻蚀打开基区引出窗口；
(4)淀积多晶硅层，刻蚀打开发射区窗口；
(5)在基区中注入形成发射区；
(6)将P型埋层和N型埋层通过深接触孔引出连接金属连线，多晶硅层通过接触孔引出连接金属连线，发射区通过接触孔引出连接金属连线。
3.如权利要求2所述VPNP器件结构的制造方法，其特征是：实施步骤(1)时，P型埋层和N型埋层的注入剂量为114cm-2至116cm-2，能量小于15keV。
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