[发明专利]真空涂覆装置

权利要求书

1.一种用于在内联式真空加工系统内以低压CVD(LPCVD)加工在基片上沉积氧化锌薄膜的方法，包括以下步骤：

a)将第一基片引入装载-锁定腔(2)内；

b)降低所述腔室内的压力；

c)通过红外加热器(28-33)对所述基片进行加热；

d)将所述第一基片传送到第一沉积腔(4)内，并且将所述基片定位在第一被加热的基片固定器(11)上；

e)将包括至少水、乙硼烷以及二乙基锌的工作气体经气体喷淋系统(15)定量供给到所述第一沉积腔(4)；

f)沉积一层氧化锌；

g)将所述第一基片传送到所述内联式真空加工系统随后的第二沉积腔(5)内而不破坏真空，并且将所述基片定位在第二被加热的基片固定器(12)上；

h)将包括至少水、乙硼烷以及二乙基锌的工作气体经气体喷淋系统(16)定量供给到所述第二沉积腔(5)；

i)沉积另一层氧化锌；

j)将所述第一基片传送到卸载-锁定腔(10)内；

k)从所述系统中取出所述第一基片；

其中在步骤c)期间略微地来回移动所述基片。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述沉积腔(4，5)中，所述基片的所述边缘区域被加热到高于所述中心区域的温度。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中在定量供给步骤e)和h)期间建立1000-2000sccm的气流。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述沉积步骤f)和i)在0.3mbar到1.1mbar之间的压力下进行。

5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其中同时进行步骤i)时，在所述内联式真空加工系统内根据步骤f)完成第二基片的处理。

6.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述层的总厚度通 过n个步骤在所述沉积腔中的每个中沉积1/n的层厚形成。

7.一种用于内联式真空加工基片的装置，包括：

-至少一个装载-锁定腔(2)，其包括加热装置，

-用基本相同的沉积参数组进行操作的形成一连串沉积腔的至少两个连续沉积腔(4，5)，在每个沉积腔内都完成一部分沉积，

-至少一个卸载-锁定腔(10)，和

-用于传送、后加工和/或操纵基片通过并位于各个腔室内的装置，

其中存在用于在所述装载-锁定腔(2)中传送基片的装置，其允许在加热期间略微地来回移动基片。

8.如权利要求7所述的装置，其中沉积腔进一步包括用于传送基片的装置，所述装置是可收回的滚轮或辊(36)和能竖直移动适于将所述基片从所述辊升起的销。

9.如权利要求7或8所述的装置，其中沉积腔(4，5)以及装载-锁定腔(2)和卸载-锁定腔(10)被沿直线顺序设置，并且在腔室下方设有用于沿相对于上方腔室的沉积加工的相反方向移动基片的反向传送装置(21-26)。

10.如权利要求9所述的装置，还包括装载站(1)，其包括提升或升降机构用于将经过加工的基片从反向传送装置升起以在至少是工作人员或机器能够操作基片或将其装箱搬离的位置接收沉积过的基片。