[发明专利]一种含吡啶的有机半导体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含吡啶的有机半导体材料，该材料的分子结构通式如下：

式中，R为氢或C₁～C₁₂的烷基中的任意一种。

2.如权利要求1所述的含吡啶的有机半导体材料，其特征在于，所述R为氢或C₁和C₂的烷基中的任意一种。

3.一种含吡啶的有机半导体材料的制备方法，其包括如下步骤：

选取如下结构式表示的化合物A和B，

A：B：

在惰性气体环境下，有机金属催化剂体系和有机溶剂存在的条件下，将所述化合物A和B进行Suzuki反应，得到含吡啶的有机半导体材料，所述含吡啶的有机半导体材料的结构式如下所示：

其中，所述各步骤的结构式中的R为氢或C₁～C₁₂的烷基。

4.如权利要求3所述的含吡啶的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机金属催化剂为有机钯催化剂或者有机钯催化剂与有机膦配体的混合物，其中，有机钯与有机磷配体的摩尔比1∶2～1∶4。

5.如权利要求3所述的含吡啶的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机金属催化剂添加量为化合物A的摩尔用量的0.001～0.1倍。

6.如权利要求3所述的含吡啶的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述化合物A的摩尔用量与化合物B的摩尔用量比为1∶2～1∶2.5。

7.如权利要求3所述的含吡啶的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为四氢呋喃、乙二醇二甲醚、苯、氯苯和甲苯中的至少一种。

8.如权利要求3所述的含吡啶的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，Suzuki耦合反应的温度为60℃～130℃，时间为20～48h。

9.如权利要求3所述的含吡啶的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机钯催化剂如Pd₂(dba)₃、Pd(PPh₃)₄或Pd(PPh₃)₂Cl₂，所述有机膦配体如P(o-Tol)₃。

10.如权利要求1或2所述的含吡啶的有机半导体材料在有机光电材料、有机太阳能电池器件、有机场效应晶体管器件、有机电致发光器件、有机光存储器件或有机激光器件中的应用。