[发明专利]超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，在一衬底上端生长一层具有足够厚度的N型外延层；

步骤2，利用光罩在所述N型外延层的上端定义出需要P阱注入的区域，利用高温退火将P阱注入进行推进；

步骤3，通过一层光罩定义出沟槽的图案，采用干法刻蚀，在所述N型外延层中形成一定深度的多个第一沟槽；

步骤4，采用选择性外延沉积的填充方式，在所述第一沟槽内填充P型单晶硅，形成P型柱；

步骤5，采用化学机械研磨CMP将所述第一沟槽顶部表面的P型单晶硅去除，使该第一沟槽的表面磨平；

步骤6，利用热氧化在所述N型外延层的顶端生长一层二氧化硅薄膜；

步骤7，采用湿法刻蚀将所述二氧化硅薄膜完全去除；

步骤8，采用光刻与干法刻蚀在两个P型柱之间形成一个第二沟槽；

步骤9，在所述第二沟槽中填充多晶硅，利用干法刻蚀进行回刻，将第二沟槽之外的多晶硅去除；

步骤10，利用离子注入在所述第一沟槽两侧的P阱中形成源极区；

步骤11，对所述衬底背面减薄和蒸金，在所述衬底的背面形成漏极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述N型外延层的电阻率大于衬底的电阻率。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：实施步骤3干法刻蚀第一沟槽时可以采用氧化物层作为硬光罩层，首先刻蚀硬光罩层，然后再刻蚀第一沟槽；也可以直接进行干法刻蚀形成第一沟槽。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：实施步骤6时，所述二氧化硅薄膜的厚度与第一沟槽顶部两侧残留的单晶硅厚度相等。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：实施步骤8时，所述第二沟槽的深度为2-4μm，用以形成沟槽型MOS管。