[发明专利]辐射传感器有效

专利信息
申请号: 201110371927.2 申请日: 2011-11-10
公开(公告)号: CN102538955A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: E·芬德莱 申请(专利权)人: 意法半导体(R&D)有限公司
主分类号: G01J1/00 分类号: G01J1/00;G01J1/02;G01S17/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 英国白*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 辐射 传感器
【权利要求书】:

1.一种辐射传感器,包括:

一个或者多个第一像素和一个或者多个第二像素;

设置在所述第一像素和所述第二像素之上并且具有第一视场的第一光学元件;以及

设置在所述一个或者多个第二像素之上并且具有第二视场的第二光学元件,所述第二光学元件定位在所述第一光学元件和所述一个或者多个第二像素之间,其中所述第一视场基本上比所述第二视场窄,并且基本上位于所述第二视场内。

2.根据权利要求1所述的辐射传感器,其中,所述第一光学元件定位在所述第二光学元件的所述视场内。

3.根据权利要求1或者2所述的辐射传感器,其中,所述第一像素和所述第二像素形成在共同的衬底上。

4.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述第一像素和所述第二像素是同一像素阵列的部分。

5.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述一个或者多个第一像素与一个或者多个第二像素邻近。

6.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述第一和/或所述第二光学元件包括透镜、多个透镜或者折射性光学元件。

7.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述第一光学元件与所述第二光学元件之间的最短距离基本上等于所述第一光学元件的焦距。

8.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述第二光学元件与所述一个或者多个第二像素中的一个像素之间的最短距离小于所述第一光学元件与所述第二像素之间的最短距离。

9.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述一个或者多个第二像素包括感测表面,并且所述第二光学元件形成在所述一个或者多个第二像素的所述感测表面上。

10.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,进一步包括在所述第二光学元件与一个或者多个第二像素之间的辐射吸收滤波器。

11.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述第二光学元件包括回流的光阻剂。

12.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述第二光学元件具有露出的凸面。

13.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述第二视场具有基本上在25°至45°之间的半角。

14.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述第二光学元件包括显微透镜。

15.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其包括多个第一像素。

16.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其包括多个第二像素。

17.根据权利要求16所述的辐射传感器,其中,所述第二光学元件包括多个透镜状元件。

18.根据权利要求17所述的辐射传感器,其中,每个透镜状元件设置在相应的第二像素之上。

19.根据权利要求18所述的辐射传感器,其中,每个相应透镜状元件的主光轴相对于每个相应的第二像素的主光轴偏移。

20.根据权利要求17-19中任一项所述的辐射传感器,其中,所述透镜状元件是显微透镜。

21.根据权利要求17-20中任一项所述的辐射传感器,其中,第一透镜状元件的视场与第二透镜状元件的视场交叠。

22.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述第一光学元件具有露出的凸面。

23.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述第一光学元件安装在所述第一像素和所述第二像素之上。

24.根据前述任一项权利要求所述的辐射传感器,其中,所述第一像素和所述第二像素是单光子雪崩检测器。

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