[发明专利]高性能肖特基二极管的制造方法

权利要求书

1.一种高性能肖特基二极管的制造方法，包括步骤：

提供半导体基底(1)，其上依次形成有重掺杂层(2)和轻掺杂层(3)；

在所述轻掺杂层(3)上淀积绝缘层(4)，采用光刻工艺刻蚀所述绝缘层(4)，在所述轻掺杂层(3)上方开出绝缘层窗口(5)，露出所述轻掺杂层(3)；

采用清洗溶液对露出的所述轻掺杂层(3)进行清洗及轻微腐蚀；

在所述绝缘层(4)和所述轻掺杂层(3)上淀积第一金属层(8)；

采用退火工艺将所述第一金属层(8)与所述轻掺杂层(3)作合金化工艺，在所述第一金属层(8)与所述轻掺杂层(3)之间形成合金化层(9、10)；

去除所述第一金属层(8)；

在所述合金化层(9、10)上形成与之相接触的上电极(11、13)；

其中，所述清洗溶液的主要成分及其质量百分比如下：

磷酸65～75％，乙酸5～15％，氟硼酸1～5％以及硝酸1～5％。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述合金化层(9、10)上形成上电极(11)包括步骤：

在所述绝缘层(4)和所述合金化层(9、10)上淀积第二金属层；

对所述第二金属层作图形化工艺，形成与所述合金化层(9、10)相接触的上电极(11)。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述合金化层(9、10)上形成上电极(13)包括步骤：

在所述绝缘层(4)和所述合金化层(9、10)上淀积第三金属层(12)；

采用化学机械抛光法对所述第三金属层(12)作平坦化，直至露出所述绝缘层(4)，由所述绝缘层(4)与所述合金化层(9、10)构成的沟槽内保留的所述第三金属层(12)成为所述上电极(13)。

4.根据权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述轻掺杂层(3)的掺杂浓度在竖直方向上的分布是均匀的或者渐变的。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述轻掺杂层(3)的掺杂浓度在竖直方向上从下往上逐渐降低。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述轻掺杂层(3)的顶部区域的掺杂浓度低于1E18。

7.根据权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述重掺杂层(2)的掺杂浓度在竖直方向上的分布是均匀的或者渐变的。

8.根据权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层(4)的厚度是可调节的。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述轻掺杂层(3)的材料为硅。

10.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述合金化层(9、10)包括以金属占多数的第一合金化层(9)和以半导体占多数的第二合金化层(10)。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述第一合金化层(9)和所述第二合金化层(10)之间是渐变的。

12.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述第一金属层(8)的工艺为湿法刻蚀法或者干法刻蚀法。