[发明专利]半导体发光结构

权利要求书

1.一种半导体发光结构，包括：

基材，具有上表面以及下表面，该上表面与该下表面不平行；

第一半导体层，配置于该上表面；

发光层，配置于该第一半导体的至少一部分表面上；以及

第二半导体层，配置于该发光层上。

2.如权利要求1所述的半导体发光结构，其中该上表面为一曲面、一斜面或一曲折面。

3.如权利要求1所述的半导体发光结构，其中该上表面包括至少一凹陷部，各个凹陷部具有第一斜面以及第二斜面，该第一斜面与该第二斜面连接于一交界线上。

4.如权利要求3所述的半导体发光结构，其中该第一斜面与该第二斜面相对于该下表面分别具有5～30度的倾斜角。

5.如权利要求1所述的半导体发光结构，其中该凹陷部位于该基材的中央，该第一斜面与该第二斜面相对于该下表面的倾斜角相等。

6.如权利要求1所述的半导体发光结构，其中该上表面包括至少一凸出部，各个凸出部具有第一斜面以及第二斜面，该第一斜面与该第二斜面连接于一交界线上。

7.如权利要求6所述的半导体发光结构，其中该第一斜面与该第二斜面相对于该下表面分别具有5～30度的倾斜角。

8.如权利要求7所述的半导体发光结构，其中该凸出部位于该基材的中央，该第一斜面与该第二斜面相对于该下表面的倾斜角相等。

9.如权利要求1所述的半导体发光结构，其中该上表面具有一凹状曲面或一凸状曲面，且通过该凹状曲面或该凸状曲面的切线相对于该下表面具有0～30度的倾斜角。

10.如权利要求1所述的半导体发光结构，其中该上表面包括二凹陷部，各个凹陷部具有第一斜面以及第二斜面，各个第一斜面与各个第二斜面连接于一交界线上。

11.如权利要求1所述的半导体发光结构，其中该上表面包括两个凸出部，各个凸出部具有第一斜面以及第二斜面，各个第一斜面与各个第二斜面连接于一交界线上。

12.一种半导体发光结构，包括：

基材，具有上表面以及下表面，该上表面与该下表面不平行，且该上表面为一曲面、一斜面或一曲折面；

图案化结构，凸出或凹陷于该上表面，以使该上表面成为一粗化面；

第一半导体层，配置于该粗化面；

发光层，配置于该第一半导体的至少一部分表面上；以及

第二半导体层，配置于该发光层上。

13.如权利要求12所述的半导体发光结构，其中该上表面为一斜面，该图案化结构具有多个尖端部，该些尖端部的中线实质上垂直该上表面或该下表面。

14.如权利要求12所述的半导体发光结构，其中该上表面为一曲面，该图案化结构具有多个尖端部，该些尖端部的中线实质上与对应通过该曲面的切线相互垂直。

15.如权利要求12所述的半导体发光结构，其中该上表面包括至少一凹陷部，各个凹陷部具有第一斜面以及第二斜面，该第一斜面与该第二斜面连接于一交界线上。

16.如权利要求12所述的半导体发光结构，其中该上表面包括至少一凸出部，各个凸出部具有第一斜面以及第二斜面，该第一斜面与该第二斜面连接于一交界线上。

17.如权利要求12所述的半导体发光结构，其中该图案化结构包括多个微透镜，凸出或凹陷于该上表面。

18.如权利要求12所述的半导体发光结构，还包括一布拉格反射层，配置于该上表面。

19.如权利要求12所述的半导体发光结构，其中该图案化结构包括多个柱状部，该些柱状部的顶面以多个凹槽相互分离，该些柱状部的顶面以曲形或锥形型态铺设，且该些柱状部的高度渐变。

20.如权利要求12所述的半导体发光结构，其中该上表面具有多个等高线，该些等高线分别以矩形形式或以线条排列。

21.如权利要求20所述的半导体发光结构，还包括两个电极，分别配置在不同高度的该些等高线的对角方向的角落上或相对方向的两侧上。

22.如权利要求20所述的半导体发光结构，还包括两个电极，分别配置在相同高度的该些等高线的对角方向的角落上或相对方向的两侧上。