[发明专利]一种多层金属-氮化硅-金属电容的制作方法

权利要求书

1.一种多层金属-氮化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于，在衬底上由下至上依次形成多层低k值介质和氮化硅的混合层，每一层混合层形成包括：

步骤1，沉积高k值氮化硅；

步骤2，刻蚀所述高k值氮化硅止于所述高k值氮化硅底部，形成若干段高k值氮化硅；

步骤3，沉积低k值介质层覆盖所述若干段高k值氮化硅，所述低k值介质层覆盖所述若干段高k值氮化硅之间的空间；

步骤4，化学机械平坦化所述低k值介质层，使所述高k值氮化硅暴露；

步骤5，在所述低k值介质层中刻蚀形成第一金属槽，在所述高k值氮化硅中刻蚀形成第二金属槽；

步骤6，在所述第一金属槽和第二金属槽中填充金属；

步骤7，化学机械平坦化所述金属。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1中，所述沉积高k值氮化硅是通过多次沉积薄层氮化硅相叠实现的，每层氮化硅的制备包括：

步骤11，沉积薄层氮化硅；

步骤12，用含氧气体处理所述薄层氮化硅，以减少氮化硅薄膜内残留的硅氢键。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述含氧气体至少包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳和二氧化碳中一种。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述每层薄层氮化硅的厚度取值范围为1纳米至10纳米。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤12中，含氧气体处理的气体流量取值范围为2000至6000sccm，其处理温度取值范围为300至600摄氏度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2中，包括如下：

    步骤21，旋涂光刻胶覆盖所述高k值氮化硅；

步骤22，对所述光刻胶进行曝光，以形刻蚀图形；

步骤23，刻蚀所述高k值氮化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤5中，包括如下：

    步骤51，旋涂光刻胶覆盖所述低k值介质层和高k值氮化硅；

步骤22，对所述光刻胶进行曝光，以形成第一沟槽和第二沟槽的图形；

步骤23，刻蚀所述低k值介质层和高k值氮化硅以分别形成第一沟槽和第二沟槽。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤6和步骤7中的金属为铜。