[发明专利]硅片清洗装置无效
| 申请号： | 201110370462.9 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103121018A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李川川 | 申请（专利权）人： | 常州市万阳光伏有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B13/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 213115 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 清洗 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片清洗装置，其特征在于，包括：清洗槽和漂洗槽，所述清洗槽上设有进槽口，所述漂洗槽上设有出槽口，所述清洗槽和漂洗槽内均设有用于输送硅片的输送辊轮组，所述输送辊轮组的上方和下方分别设有用于喷射清洗硅片的多个上喷头和下喷头，所述清洗槽与漂洗槽之间设有过渡槽口和隔板。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述上喷头和下喷头均为斜向设置，且向硅片传输方向偏斜。
3.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述清洗槽与漂洗槽内的液体平面均低于所述输送辊轮组上的硅片所在水平面。
4.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，在靠近所述进槽口和出槽口处的输送辊轮组仅包括下辊轮。
5.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述过渡槽口两侧的输送辊轮组仅包括下辊轮。
6.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述隔板的高度低于下辊轮的高度。
7.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述清洗槽内的溶液为碱性溶液。
8.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述漂洗槽内为去离子水。
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