[发明专利]一种多晶硅锭制造装置无效
| 申请号： | 201110370448.9 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103122476A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李川川 | 申请（专利权）人： | 常州市万阳光伏有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 213115 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 制造 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅锭制造装置，其特征在于：包括坩埚(1)、支撑板(2)、加热器(3)、冷却板(4)、隔热板(5)、高纯石英玻璃层(6)、温度传感器(7)，所述坩埚(1)固定在支撑板(2)上，所述加热器(3)设在坩埚(1)周围，所述隔热板(5)设在加热器(3)周围，加热器(3)内壁设有温度传感器(7)，冷却板(4)位于坩埚下部，高纯石英玻璃层(6)设置在坩埚(1)内壁。
2.根据权利要求1所述的多晶硅锭制造装置，其特征在于：所述的多晶硅锭制造装置还包括一个自动控制装置，与所述温度传感器(7)和加热器(3)电性连接。
3.根据权利要求1所述的多晶硅锭制造装置，其特征在于：所述冷却板(4)内部设置有流体制冷剂。
4.根据权利要求1所述的多晶硅锭制造装置，其特征在于：所述坩埚(1)呈规则方形不透明立体结构。
5.根据权利要求1所述的多晶硅锭制造装置，其特征在于：所述高纯石英玻璃层(6)的厚度为2-4nm。
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