[发明专利]具有波浪状侧边的发光二极管结构无效
| 申请号： | 201110369142.1 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103107258A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 黄国瑞 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司竹南分公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾苗栗*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 波浪 侧边 发光二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有波浪状侧边的发光二极管结构，其特征在于，其是包含：
一基板；
一N型半导体层，是设于该基板的上方；
一发光层，是设于该N型半导体层的上方；及
一P型半导体层，是设于该发光层的上方；
其中，该发光层及该P型半导体层的侧边边缘为波浪状。
2.如权利要求1所述的具有波浪状侧边的发光二极管结构，其特征在于，更进一步包含一透明导电层，是设于该P型半导体层的上方。
3.如权利要求2所述的具有波浪状侧边的发光二极管结构，其特征在于，其中该透明导电层的侧边边缘为波浪状。
4.如权利要求2所述的具有波浪状侧边的发光二极管结构，其特征在于，其中该透明导电层的材质为铟锡氧化物。
5.如权利要求1所述的具有波浪状侧边的发光二极管结构，其特征在于，更进一步包含一全向反射镜，是设于基板的下方。
6.如权利要求1所述的具有波浪状侧边的发光二极管结构，其特征在于，更进一步包含一P型电极，是设于该P型半导体层的上方。
7.如权利要求1所述的具有波浪状侧边的发光二极管结构，其特征在于，更进一步包含一N型电极，是设于该N型半导体层的上方。
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