[发明专利]用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法在审
| 申请号: | 201110369058.X | 申请日: | 2011-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN103123906A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
| 发明(设计)人: | 何其旸;张翼英 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 孙宝海 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 处理 反应 装置 静电 吸盘 温度 控制 方法 | ||
1.一种用于吸引晶圆的静电吸盘(ESC),其特征在于,包括:
用于支撑晶圆的绝缘层;和
位于所述绝缘层中的灯阵列。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述灯阵列中各个灯的开关和/或输出功率能够独立控制。
3.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,还包括:灯阵列控制器,与所述灯阵列电连接,用于控制所述灯阵列中各个灯的开关和/或输出功率。
4.根据权利要求3所述的静电吸盘,其特征在于,还包括:温度探测器,用于探测吸附于所述静电吸盘上的晶圆的不同位置的温度;
所述灯阵列控制器与所述温度探测器相连,用于根据所述温度探测器探测的温度控制所述灯阵列中每个灯的开关和/或输出功率。
5.根据权利要求4所述的静电吸盘,其特征在于,所述温度探测器以预定图形分布于所述静电吸盘上。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述灯的最大输出功率为300~500W,所述灯的热效率为45%~55%。
7.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述灯阵列为蜂窝状、矩阵排列,或者线阵列。
8.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,还包括:
位于所述静电吸盘上的流体冷却系统。
9.一种用于处理晶圆的反应装置,其特征在于,包括:
腔室,
在所述腔室内用于支撑晶圆的如权利要求1至8中任意一项所述的静电吸盘。
10.一种晶圆温度控制方法,其特征在于,包括:
确定静电吸盘中灯阵列的各个灯的输出参数,所述灯阵列位于所述静电吸盘的用于支撑晶圆的绝缘层中,所述输出参数包括开关和/或输出功率;
根据所述各个灯的输出参数对所述灯阵列中各个灯进行控制以便控制所述晶圆的温度。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述灯阵列中各个灯的开关和/或输出功率能够独立控制。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,还包括:
探测吸附于所述静电吸盘上的晶圆的不同位置的温度;
根据所述晶圆的不同位置的温度确定温度补偿图;
所述确定静电吸盘中灯阵列的各个灯的输出参数包括:
根据所述温度补偿图确定静电吸盘包括的灯阵列中各个灯的输出参数。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述探测吸附于所述静电吸盘上的晶圆的不同位置的温度包括:
探测吸附于所述静电吸盘上的晶圆的预定图形位置上的温度。
14.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述灯的最大输出功率为300~500W,所述灯的热效率为45%~55%。
15.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述灯阵列为蜂窝状、矩阵排列,或者线阵列。
16.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,还包括:
通过位于所述静电吸盘上的流体冷却系统结合所述灯阵列控制所述晶圆的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





