[发明专利]电子发射装置及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201110367517.0 申请日: 2011-11-18
公开(公告)号: CN102479483A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 平川弘幸 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G09G3/22 分类号: G09G3/22
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 戚传江;穆德骏
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子 发射 装置 及其 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种对包括第一电极、在第一电极上形成并且包括绝缘微粒的微粒层、以及在所述微粒层上形成的第二电极的电子发射装置的驱动方法,包括:

将电压施加于所述第一和第二电极之间,以从所述第一电极发射电子,以便所述电子通过所述微粒层被加速并且从所述第二电极被发射,

其中,所述施加的电压包括具有第一频率的脉冲,并且所述脉冲以低于所述第一频率的第二频率被振荡。

2.根据权利要求1所述的驱动方法,其中,所述第一频率为100Hz至10kHz,并且所述第二频率为0.008Hz至2Hz,所述脉冲的每个由矩形波构成。

3.根据权利要求1所述的驱动方法,其中,进一步包括:

测量在所述第一电极和所述第二电极之间的电流,以及

基于测量的电流调制所述脉冲,以使得所述电子发射装置的电子发射量恒定。

4.根据权利要求3所述的驱动方法,其中,通过脉冲密度调制或脉冲宽度调制,执行调制所述脉冲的所述步骤。

5.一种电子发射装置包括:

第一电极,

在所述第一电极上形成的并且包括绝缘微粒的微粒层,

在所述微粒层上形成的第二电极,以及

驱动部,所述驱动部用于将电压施加于所述第一和所述第二电极之间,以从所述第一电极发射电子,以便所述电子通过所述微粒层被加速,并且从所述第二电极被发射,

其中,所述施加的电压包括具有第一频率并且以低于所述第一频率的第二频率被振荡的脉冲。

6.根据权利要求5所述的电子发射装置,其中,所述第一频率为100Hz至10kHz,所述第二频率为0.008Hz至2Hz,并且所述脉冲由矩形波构成。

7.根据权利要求5所述的电子发射装置,其中,驱动部包括测量在所述第一和第二电极之间电流的电流测量部,以及基于所述测量电流调制所述脉冲以使得所述电子发生装置的电子发射量恒定的脉冲调制部。

8.根据权利要求7所述的电子发射装置,其中,所述脉冲调制部通过脉冲密度调制或脉冲宽度调制,调制所述脉冲。

9.根据权利要求5所述的电子发射装置,进一步包括在所述第一电极上形成并且具有开口的绝缘层,其中,所述第二电极的一部分形成在所述绝缘层的上方,并且被设置成通过所述开口面对所述第一电极,并且其他部分与所述绝缘层重叠,而且,所述微粒层被设置在所述第一和第二电极之间,以及在所述第二电极和所述绝缘层之间,并且包括绝缘微粒和导电微粒。

10.根据权利要求9所述的电子发射装置,其中,形成所述绝缘层,以便与所述第一电极接触。

11.根据权利要求9所述的电子发射装置,其中,所述绝缘层由硅树脂制成。

12.根据权利要求9所述的电子发射装置,其中,所述第二电极的表面具有凹陷部分。

13.根据权利要求9所述的电子发射装置,其中,所述第二电极包括邻近所述微粒层的第一电极层,以及在所述第一电极层上形成并且具有比所述第一电极层电阻值更高的电阻值的第二电极层,所述第二电极层的表面具有凹陷部分。

14.根据权利要求13所述的电子发射装置,其中,所述第二电极层通过将凹陷部分穿过所述第一电极层而被电连接至所述微粒层。

15.根据权利要求13所述的电子发射装置,其中,所述第一电极层包括无定形碳层。

16.根据权利要求13所述的电子发射装置,其中,所述第二电极层包括金属层。

17.根据权利要求16所述的电子发射装置,其中,所述第二电极层包含包括金、银、钨、钛、铝和钯中的至少之一的材料。

18.根据权利要求9所述的电子发射装置,其中,所述微粒层包含包括绝缘微粒的绝缘微粒层。

19.根据权利要求9所述的电子发射装置,其中,构成所述微粒层的所述绝缘微粒和导电微粒由硅树脂固定。

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