[发明专利]一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板及其制造方法

权利要求书

1.一种蓝光激发TFT-LED阵列显示基板，其特征在于：在衬底（1）上方依次为缓冲层（2）和n型GaN层（3）；在n型GaN层（3）上为蓝色发光层（4）, 在蓝色发光层上依次为p型GaN层（5）和透明电极层（6）；n型GaN层（3）、蓝色发光层（4）、p型GaN层（5）和透明电极层（6）共同组成显示单元，在显示单元上设有控制区（7），在显示单元之间设有引线区（8）；在控制区（7）内设有由电容器下极板（10）和电容器上极板（12），以及同处于它们之间的绝缘层（25）所构成的电容器；由工作TFT栅极（13）、工作TFT沟道（17）、工作TFT源极（22）、工作TFT漏极（23）以及中间绝缘层（25）组成的工作TFT；以及由控制TFT栅极（15）、控制TFT沟道（18）、控制TFT源极（19）和控制TFT漏极（21）以及中间绝缘层（25）组成的控制TFT；在引线区内设有n型GaN层接地引线（11），工作TFT源极引线（24），控制TFT源极引线（20）及控制TFT栅极引线（16）；其中电容器下极板（10）与n型GaN层（3）接触，n型GaN层接地引线（11）（11）与电容器下极板（10）连接；电容器上极板（12）分别与工作TFT栅极（13）及控制TFT漏极（21）连接，工作TFT漏极（23）与透明电极层（6）连接，工作TFT源极（22）与工作TFT源极引线（24）连接，控制TFT源极（19）与控制TFT源极引线（20）连接，控制TFT栅极（15）与控制TFT栅极引线（16）连接；绝缘层（25）处于各层金属电极和不同层引线之间，在控制区（7）及引线区（8）上有钝化保护层（26）；在透明电极层（6）上方覆盖荧光粉层，在荧光粉层上方覆盖配套的彩膜基板；或者为荧光粉层与彩膜基板集成为一体结构。

2.根据权利要求1所述的蓝光激发TFT-LED阵列显示基板,其特征在于：衬底（1）材料为蓝宝石单晶衬底或SiC单晶衬底。

3.根据权利要求1所述的蓝光激发TFT-LED阵列显示基板，其特征在于： n型半导体层（3）和p型半导体层（5）是由不同掺杂浓度的p型或n型GaN外延薄膜组成，其中n型半导体层掺入Si，p型半导体层掺入Mg或Zn。

4.根据权利要求1所述的蓝光激发TFT-LED阵列显示基板，其特征在于：蓝色发光层（4）组成发光阵列，每个发光阵列的蓝色发光层（4）为一层以上。

5.根据权利要求1，所述的蓝光激发TFT-LED阵列显示基板，其特征在于：透明电极层（6）为原位生长的ITO或IZO；绝缘层（25）和钝化保护层（26）采用SiO_x、SiN_x或SiO_xN_y绝缘材料制作；工作TFT沟道（17）和控制TFT沟道（18）采用非晶硅、多晶硅或者单晶硅；荧光粉层采用钇铝石榴石黄绿色荧光粉YAG:Ce³⁺或YAG:Ce³⁺与SrWO₄: Eu³⁺，CaSnO₃:Eu³⁺红色荧光粉的混合粉或蓝光激发下所发出的光通过与蓝光混色后得到白光的荧光粉。

6.根据权利要求1所述的蓝光激发TFT-LED阵列显示基板，其特征在于：电容器下极板（10）、上极板（12），工作TFT栅极（13）、工作TFT漏极（23）、工作TFT源极（22），控制TFT栅极（15）、控制TFT漏极（21）、控制TFT源极（19）以及各种引线的材料为Mo、Au、Cu、Ag、Ni或Al中的一种或几种的搭配与组合，或者它们的合金，或者金属与合金的搭配与组合。

7.根据权利要求1所述的蓝光激发TFT-LED阵列显示基板，其特征在于：彩膜基板包括红色树脂、绿色树脂和蓝色树脂。