[发明专利]像素结构、阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种像素结构、阵列基板及其制作方法，尤指一种具有用于保护金属层的导电性保护层的像素结构、阵列基板及其制作方法。

背景技术

由于液晶面板具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性，故已被广泛地应用在笔记型计算机(notebook)、个人数字助理(PDA)以及摄影机(video camera)等携带式信息产品上。传统液晶面板是由一阵列基板、一彩色滤光片基板以及一液晶层所构成，且藉由控制阵列基板的一像素电极与彩色滤光片基板的一共通电极之间的电压来调整液晶层的液晶分子的旋转角度，以显示所欲的画面。

一般而言，公知阵列基板包括复数条数据线、复数条扫描线、复数条共通线以及复数个薄膜晶体管。其中，扫描线、共通线与薄膜晶体管的栅极是由一第一金属层所构成，且数据线以及薄膜晶体管的源极与漏极是由一第二金属层所构成。并且，各薄膜晶体管具有半导体层作为其通道。然而，第一金属层与第二金属层一般使用铝作为其材料，因此当铝与半导体层的硅相接触时，铝容易产生掺杂效应而扩散至半导体层中，进而影响各薄膜晶体管的操作。所以，为了避免由铝所构成的源极与漏极与硅产生掺杂效应，公知阵列基板会另于半导体层与第二金属层之间设置一钼金属层。除此之外，公知阵列基板亦会于第一金属层与第二金属层上分别设置另一钼金属层，以避免由铝所构成的第一金属层与第二金属层受到氧化或腐蚀。

然而，在公知阵列基板的制作方法中，第一金属层与其上的钼金属层是于同一蚀刻制程中所形成，且第二金属层与其上下的钼金属层亦于同一蚀刻制程中所形成。并且，铝与钼的蚀刻速率并不相同，所以所形成的第一金属层、第二金属层与钼金属层会有悬突的情况，造成后续形成的绝缘层与保护层有覆盖不佳的问题。

发明内容

本发明的主要目的之一在于提供一种像素结构、阵列基板及其制作方法，以节省制作成本，并解决上述公知的问题。

为达上述的目的，本发明提供一种像素结构，其包括一基板、一第一金属图案层、一绝缘层、一半导体图案层、一第一导电性保护层、一第二金属图案层、一保护层、一第二导电性保护层以及一透明导电图案层。基板具有至少一像素区。第一金属图案层设于基板上，且第一金属图案层具有一上表面。绝缘层设于第一金属图案层与基板上，且绝缘层与第一金属图案层的上表面接触。半导体图案层设于像素区中的绝缘层上，且第一导电性保护层设于半导体图案层上。第二金属图案层设于第一导电性保护层上，且第二金属图案层包括一源极与一漏极。保护层设于第二金属图案层与绝缘层上，其中源极的一上表面是与保护层直接接触。第二导电性保护层设于漏极上，且透明导电图案层设于保护层与第二导电性保护层上。

为达上述的目的，本发明还提供一种阵列基板，其包括一基板、一第一金属图案层、一绝缘层、一半导体图案层、一第一导电性保护层、一第二金属图案层、一保护层、一第二导电性保护层以及一透明导电图案层。基板具有至少一像素区以及至少一接垫区。第一金属图案层设于基板上，且第一金属图案层包括位于像素区中的一栅极与位于接垫区中的一接垫。绝缘层设于第一金属图案层与基板上，其中栅极的一上表面与绝缘层直接接触。半导体图案层设于像素区中的绝缘层上，且第一导电性保护层设于半导体图案层上。第二金属图案层设于第一导电性保护层上，且第二金属图案层包括一源极与一漏极。保护层设于第二金属图案层上。第二导电性保护层设于接垫上，且第二导电性保护层与接垫的一上表面以及漏极的一上表面直接接触。透明导电图案层设于保护层与第二导电性保护层上。

为达上述的目的，本发明提供一种阵列基板的制作方法。首先，提供一基板，且基板具有至少一像素区与至少一接垫区。接着，于基板上形成一第一金属图案层，且第一金属图案层包括位于像素区的一栅极以及位于接垫区的一接垫。然后，于第一金属图案层上形成一绝缘层。随后，于像素区的绝缘层上形成一半导体图案层，且于半导体图案层上形成一第二金属图案层与一第一导电性保护层，且第二金属图案层包括一源极与一漏极。接着，于第二金属图案层与绝缘层上形成一保护层。然后，于保护层中形成一第一穿孔，且于第一穿孔中形成一第二导电性保护层。最后，于保护层上形成一透明导电图案层。