[发明专利]中子闪烁体复合材料及其制造方法无效
| 申请号： | 201110365246.5 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102533246A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | B·A·克洛西尔;A·伊凡;A·M·斯里瓦斯塔瓦 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/85;C09K11/62;G01T3/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李进;林森 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中子 闪烁 复合材料 及其 制造 方法 | ||
1.一种中子闪烁体复合材料，所述材料包含：
包括具有非零浓度的6-Li的中子闪烁体材料；和
具有与中子闪烁体材料的折射率基本上相同折射率的粘合剂材料。
2.权利要求1的材料，其中中子闪烁体材料包含闪烁活化剂。
3.权利要求2的材料，其中闪烁活化剂包含铈离子和镨离子中的一种。
4.权利要求3的材料，其中铈离子和镨离子分别包含卤化铈和卤化镨。
5.权利要求1的材料，其中中子闪烁体材料包含以下组成中的一种：
[1](Li1-xAx)2LnX5，其中0＜x≤1，或
[2](Li1-xAx)2(Li1-yA’y)LnX6，其中0＜x≤1和0＜y≤1但是x和y不能同时为1，或者
[3]BLn(Li1-xAx)X5，其中0＜x≤1，
并且其中，
A，A’＝Tl、Na、K、Rb、Cs的离子或其任何组合，
B＝Cs、Rb、Tl的离子或其任何组合，
Ln＝Y、镧系、铋的离子或其任何组合，和
X＝卤素元素的离子或其任何组合。
6.权利要求1的材料，其中中子闪烁体材料包含以下组成中的一种：
[1](Li1-xAx)2Ln1-a-bCeaPrbX5，其中0＜x≤1；0≤a≤1和0≤b≤1但是a和b不能同时为0或1，或者
[2](Li1-xAx)2(Li1-yA’y)Ln1-a-bCeaPrbX6，其中0＜x≤1和0＜y≤1但是x和y不能同时为1；0≤a≤1和0≤b≤1但是a和b不能同时为0或1，或者
[3]BLn1-a-bCeaPrb(Li1-xAx)X5，其中0＜x≤1；0≤a≤1和0≤b≤1但是a和b不能同时为0或1，
并且其中，
A，A’＝Tl、Na、K、Rb、Cs的离子或其任何组合，
B＝Cs、Rb、Tl的离子或其任何组合，
Ln＝Y、镧系、铋的离子或其任何组合，和
X＝卤素离子或包含卤素离子的任何组合。
7.权利要求1的材料，其中粘合剂材料包含热塑性树脂或热固性树脂中的一种或更多种。
8.权利要求1的材料，其中粘合剂材料选自丙烯酸酯基树脂、环氧树脂、硅氧烷树脂及其组合。
9.权利要求1的材料，其中粘合剂材料提供给中子闪烁体材料形成成型物品的足够流动性。
10.一种辐射检测器(10、20、30、40)，所述检测器包含光耦合于感光器(14)的权利要求1的中子闪烁体复合材料。
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