[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，其包括镁或镁合金基材及形成于镁或镁合金基材表面的镀膜层，其特征在于：该镀膜层为掺杂稀土元素镧并含有镍、锰元素的薄膜，其中镧、镍与锰的摩尔比为：镧：镍： 锰=0.5~4：9~16：0.5~2。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该镀膜层溅射所需的靶材中含有镧、镍与锰的混合粉体，该混合粉体中镧、镍与锰的摩尔比分别为镧：10~20%、镍：70%~85%、锰：5~10%。

3.如权利要求1或2所述的镀膜件，其特征在于：该镀膜层的厚度为2~20μm。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述镀膜层采用磁控溅射的方法溅射形成。

5.一种镀膜件的制备方法，包括如下步骤：

提供镁或镁合金基材；

在镁或镁合金基材上通过真空溅射形成形成由镧、锰或镍组成的镀膜层，真空溅射采用复合靶材，该复合靶材由摩尔比为10~20%的镧、70%~85%的镍及5~10%的锰组成，其中镧、锰与镍的摩尔比为：镧：镍：锰=0.5~4：9~16：0.5~2。

6.如权利要求5所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：形成该镀膜层的参数为：设置复合靶材的功率为5~8kw，氧气的流量为60~85sccm，氩气的流量为300~320sccm，镁或镁合金基材的偏压为-100~-120V，镀膜温度为200~250℃，镀膜时间为35~40min。

7.如权利要求5所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：在形成镀膜层之前，还包括对镁或镁合金基材进行等离子清洗的步骤。

8.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于，所述等离子清洗的条件：将该镀膜室抽真空至5.0～3.0×10^-5Torr，向镀膜室内通入流量为200～400sccm的氩气，并施加-200～-300V的偏压于镁或镁合金基材，清洗时间为10～20min。

9.如权利要求5所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：该镀膜层的厚度为2~20μm 。