[发明专利]具有低温度系数的稀土钴基永磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种具有低温度系数的稀土钴基永磁体，其特征在于所述稀土钴基永磁体的化学成分按质量百分比为：Sm10％～20％、RE8％～16％、Fe14％～17％、Cu5％～8％、Zr1％～3％、余量为Co，其中，重稀土元素RE是从Gd、Dy、Tb、Er和Ho中选择的至少两种。

2.根据权利要求1所述的稀土钴基永磁体，其特征在于所述稀土钴基永磁体中的Sm的含量为10％～17％。

3.根据权利要求1所述的稀土钴基永磁体，其特征在于所述稀土钴基永磁体中的RE的含量为10％～16％。

4.一种制备具有低温度系数的稀土钴基永磁体的方法，其特征在于所述方法包括下述步骤：将预定成分的合金原材料制成钢锭或铸片，先通过机械破碎为0.5～1.0毫米大小的颗粒，再破碎为3～5微米的粉末，在1.8～2.0特斯拉磁场下成型，再经过等静压得到初步毛坯，然后经过对初步毛坯执行热处理工艺制得合金毛坯，从而得到所述稀土钴基永磁体，

其中，所述稀土钴基永磁体的化学成分按质量百分比为：Sm10％～20％、RE8％～16％、Fe14％～17％、Cu5％～8％、Zr1％～3％、余量为Co，其中，重稀土元素RE是从Gd、Dy、Tb、Er和Ho中选择的至少两种。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于在将钢锭或铸片进行机械破碎后，采用湿法或干法将机械破碎所得颗粒再破碎为3～5微米的粉末。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于对初步毛坯执行热处理工艺包括下述步骤：将初步毛坯在1220～1250℃下进行0.5～1.0小时的烧结处理后，随炉冷却到1180～1220℃进行2～6小时的固溶处理，并淬火至室温；然后，在830～850℃保温10～40小时后，随炉冷却到600℃和500℃各保温2～4小时，再冷却到400℃保温5～15小时，并淬火至室温。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述湿法包括球磨法。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述干法包括气流磨法。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述稀土钴基永磁体中的Sm的含量为10％～17％。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述稀土钴基永磁体中的RE的含量为10％～16％。