[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及进行传递模塑的树脂密封型的半导体装置的制造方法。

背景技术

利用级进模（progressive die）从金属板进行冲压，从而形成引线框架。此时，在引线框架的侧面设置有毛刺面、断裂面、塌角面。由于该断裂面等，树脂飞边（burr）与引线框架的粘着力（adhesion）被强化，所以，树脂飞边的除去变得困难。

因此，提出了如下方法：在挡板（dam）部附加与模塑树脂的粘着性较低的物质，提高树脂飞边的除去性(例如，参照专利文献1的图11)。但是，利用该方法也不能够容易地将树脂飞边除去。此外，存在花费工夫和成本并且在现实的生产工序中难以采用这样的问题。

相对于此，提出了如下方法：垂直地对引线框架的侧面进行修整加工，由此，将毛刺面或断裂面除去(例如，参照专利文献2)。由此，能够容易地除去树脂飞边。

[专利文献1]：日本特开平4-164356号公报；

[专利文献2]：日本特开平2-202045号公报。

伴随装置的小型化，存在如下问题：引线框架的端子间的距离(空间距离)变小，产生引线框架的端子间的放电。在垂直地对引线框架的侧面进行修整加工的方法中，也存在放电的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到一种半导体装置的制造方法，能够容易地除去树脂飞边，并且，能够抑制引线框架的端子间的放电。

本发明提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置使用具有封装外部区域和封装内部区域并且在侧面的上端设置有毛刺面且在所述侧面的上端附近设置有断裂面的引线框架，其特征在于，具有如下工序：在所述封装外部区域，对所述引线框架的所述侧面的所述上端进行倒角加工；在所述封装内部区域，在所述引线框架上搭载半导体元件，用树脂进行密封；在倒角加工以及树脂密封之后，在所述封装外部区域，将在所述引线框架的所述侧面设置的树脂飞边除去。

根据本发明，能够容易地除去树脂飞边，并且，能够抑制引线框架的端子间的放电。

附图说明

图1是示出在本发明的实施方式1中所使用的引线框架的俯视图。

图2是示出图1的引线框架的引线端子的剖面图。

图3是用于对本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。

图4是用于对本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法进行说明的俯视图。

图5是用于对本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法进行说明的俯视图。

图6是用于对本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。

图7是用于对处于引线端子间的最短距离的引线端子的侧面的面积进行说明的剖面图。

图8是用于对本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的变形例1进行说明的剖面图。

图9是用于对本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的变形例2进行说明的剖面图。

图10是用于对本发明的实施方式2的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。

图11是用于对本发明的实施方式3的半导体装置的制造方法进行说明的俯视图。

图12是将图11的一部分放大后的剖面图。

图13是用于对本发明的实施方式4的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。对相同或者对应的结构要素标注相同的附图标记，有时省略重复说明。

实施方式1

参照附图，对本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法进行说明。图1是示出在本发明的实施方式1中所使用的引线框架的俯视图。引线框架1具有下垫板（die pad）2、引线端子3、连杆4。引线框架1的区域分为在以后的工序中不进行树脂密封的封装外部区域5和在以后的工序中被树脂密封的封装内部区域6。

图2是示出图1的引线框架的引线端子的剖面图。利用级进模从金属板进行冲压，从而形成引线框架1。此时，在引线框架1的侧面的上端设置有毛刺面7，在侧面的上端附近设置有断裂面8，在侧面的下端设置有塌角面9。在引线框架1的侧面，剪切面（shear  surface）是框架厚度的约70%，断裂面8是框架厚度的约30%。

图3、6是用于对本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法进行说明的剖面图。图4、5是用于对本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法进行说明的俯视图。