[发明专利]一种自组装制备内嵌金属量子点绝缘介质膜的方法无效
| 申请号： | 201110364888.3 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102509701A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 裴艳丽;王钢 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/285 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 组装 制备 金属 量子 绝缘 介质 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种自组装制备内嵌金属量子点绝缘介质膜的方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）选取绝缘靶材，并在绝缘靶材上摆放金属块，所述金属块为Co, W, Pt, 或Ta；
（2）对上述靶材进行溅射成膜，溅射气氛为氩气，衬底为热氧化二氧化硅的p型硅片。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述绝缘靶材为HfO2，SiO2, Al2O3或Si3N4。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属块对绝缘靶材的覆盖率为5-30%。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘靶材大小为2寸，金属块大小为5mmx5mmx1.5mm。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溅射成膜的条件为：功率为50~150W，本体真空度< 10-5Pa，溅射时工作气压为0.05~1.5Pa, 绝缘靶材和衬底的距离为20cm，衬底未加温，衬底旋转速度为75rpm/min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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