[发明专利]微电子机械导热介质填充终端式微波功率传感器及制备方法有效
| 申请号： | 201110364699.6 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102401854A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;刘彤;王德波 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R21/02 | 分类号： | G01R21/02;B81B7/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微电子 机械 导热 介质 填充 终端 式微 功率 传感器 制备 方法 | ||
1. 一种微电子机械导热介质填充终端式微波功率传感器，其特征在于该传感器以砷化镓为衬底（6），在衬底（6）上设有共面波导传输线（1）、氮化钽电阻（2）、导热绝缘介质层（3）、热电堆（4）、压焊块（5），其中，共面波导传输线（1）有3根且位于衬底（6）上的一边，在两根共面波导传输线（1）之间设有氮化钽电阻（2），导热绝缘介质层（3）的一边位于氮化钽电阻（2）旁，热电堆（4）位于导热绝缘介质层（3）的另一边，压焊块（5）位于热电堆（4）的外侧并与热电堆（4）连接，AlGaAs薄膜（7）位于氮化钽电阻（2）、导热绝缘介质层（3）、热电堆（4）的下方。
2. 一种如权利要求1所述的微电子机械导热介质填充终端式微波功率传感器的制备方法，其特征在于该制备方法为：
1）衬底（6）：选用未掺杂GaAs衬底厚度为500μm；
2）热电堆（4）：在GaAs衬底上外延生长一层AlGaAs薄膜（7）作为自停止腐蚀层，在AlGaAs薄膜（7）上外延生长一层n+ GaAs厚2500?薄膜作为热电偶其中一臂，采用剥离技术，溅射一层AuGeNi/Au厚500/2200?薄膜作为热电偶另一臂，其中AuGeNi用来与GaAs形成欧姆接触；
3）氮化钽电阻（2）：在衬底表面淀积一层TaN薄膜，然后通过掩膜，曝光，剥离技术留下图形区域的TaN电阻薄膜，电阻为25Ω/□；
4）导热绝缘介质层（3）：在氮化钽电阻（2）与热电堆（4）热端间，通过剥离技术淀积一层导热绝缘介质层；
5）共面波导传输线（1）：在GaAs衬底（6）上溅射一层500/1500/300? Ti/Au/Ti的籽晶，用于加强Au和衬底的粘附性；然后去除Ti层，电镀一层Au厚2μm薄膜作为CPW传输线；
6）背面减薄：衬底减薄刻蚀至AlGaAs自停止层（7）。
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