[发明专利]一种一次扩散实现选择性发射区制备的方法

权利要求书

1.一种一次扩散实现选择性发射区制备的方法，其特征在于包括如下步骤：将制绒后的硅片进行均匀的高浓度扩散，在扩散后硅片表面的PSG层的非电极区上印刷腐蚀性浆料，加热后腐蚀性浆料会腐蚀扩散区，然后用碱溶液清洗掉残余的腐蚀性浆料，用腐蚀性浆料腐蚀掉的非电极区即为低浓度扩散区，而未被腐蚀的电极区即为高浓度扩散区。

2.如权利要求1所述的一种一次扩散实现选择性发射区制备的方法，其特征在于：所述硅片为P型单晶或者多晶硅片，其电阻率是0.3~10Ω·cm。

3.如权利要求1所述的一种一次扩散实现选择性发射区制备的方法，其特征在于：所述腐蚀性浆料印刷后的厚度为4~7μm。

4.如权利要求1所述的一种一次扩散实现选择性发射区制备的方法，其特征在于：所述腐蚀性浆料腐蚀作用的加热温度为150~300℃，腐蚀时间为0.5~3min。

5.如权利要求1所述的一种一次扩散实现选择性发射区制备的方法，其特征在于：所述碱溶液为KOH溶液或者NaOH溶液，浓度为0.1wt%~5wt%，碱溶液的温度为30~40℃。

6.如权利要求1所述的一种一次扩散实现选择性发射区制备的方法，其特征在于：所述腐蚀性浆料在非电极区上印刷时，采用的网版规格为325目、线径23μm。