[发明专利]一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP-Cu电极制造工艺有效

专利信息
申请号: 201110364229.X 申请日: 2011-11-16
公开(公告)号: CN102409322A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 杨新宇;徐莹;朴亚东;张革;王英男 申请(专利权)人: 鞍山市中普仪表电子设备有限公司
主分类号: C23C18/36 分类号: C23C18/36;C23C18/40;C23C18/18
代理公司: 鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 代理人: 张群
地址: 114014 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 陶瓷 元件 局部 表面 化学 nip cu 电极 制造 工艺
【权利要求书】:

1.一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP-Cu电极制造工艺,其特征在于,包括如下步骤:

1)对陶瓷元件进行清洗、干燥;

2)粗化处理、清洗;

3)印刷;在陶瓷元件需金属化的部位被覆催化浆料,烘干;

4)活化处理;将步骤3)中烘干后的陶瓷元件进行高温活化处理;

5)预镀;将经高温活化处理后的陶瓷元件置于预镀液中,在40-50℃条件下滚镀,在陶瓷元件经活化处理的部位形成Ni-P合金镀层;所述的每升预镀液中,加入以下成分:硫酸镍1-10克,次亚磷酸钠30-60克,稳定剂0.2-3克;

6)镀铜;将预镀后的陶瓷元件移入镀铜液中,在40-50℃条件下滚镀,调PH=11.9~12.6,通入压缩空气进行空气搅拌,滚镀20-40分钟;

7)脱水干燥;

8)热处理;烘箱200-500℃,热处理10-60分钟;

9)将镀铜后的陶瓷元件进行浸焊,并进行电性能测试。

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP-Cu电极制造工艺,其特征在于,所述的步骤3)中催化浆料的制法为:

1)以盐酸或硫酸(盐酸或硫酸∶水=1∶2)为溶剂,将金属活化剂溶于盐酸或硫酸中使其呈现离子分布状态,所述的金属活化剂为二氯化钯、三氯化钌、三氯化铑中的一种或一种以上混合,金属活化剂加入量为原料重量的2-8%,盐酸或硫酸加入量为原料重量的2-10%;

2)再将润湿剂乙二醇丁醚、乙二醇甲醚、苯乙酮中的一种或一种以上混合加入上述金属活化剂溶液中,润湿剂加入量为原料的重量百分比60-90%;

3)再加入增稠剂及调色剂,增稠剂为醋酸纤维素或乙基纤维素,调色剂为超细碳粉或200-300目碳黑,增稠剂加入量为原料的重量百分比3-20%,调色剂加入量为原料的重量百分比1-15%;混合均匀,在50-60℃条件下缓慢溶解,即得到丝网印刷所需的催化浆料。

3.根据权利要求1所述的一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP-Cu电极制造工艺,其特征在于,所述的步骤5)中,预镀液中,稳定剂采用硫脲、铅离子、或碘酸钾中的一种或一种以上混合。

4.根据权利要求1所述的一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP-Cu电极制造工艺,其特征在于,所述的步骤6)中,每升镀铜液中,加入以下成分:硫酸铜6~16克、酒石酸钾钠8~28克、乙二胺四乙酸二钠15~28克、氢氧化钠10~30克、甲醛8~18克、稳定剂0.02~2克、表面活性剂0.01~1克。

5.根据权利要求4所述的一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP-Cu电极制造工艺,其特征在于,所述的稳定剂为二价硒化合物、含氮化合物、含硫化合物中一种或一种以上混合;所述的含氮化合物选自邻菲咯啉、2-2联吡啶、或亚铁氰化钾中的一种,所述的含硫化合物为硫脲或硫代硫酸钠。

6.根据权利要求4所述的一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP-Cu电极制造工艺,其特征在于,所述的表面活性剂为非离子表面活性剂,选自月桂醇、聚丙二醇、或聚乙二醇中的一种或一种以上混合。

7.根据权利要求1所述的一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP-Cu电极制造工艺,其特征在于,所述步骤4)活化处理后的陶瓷元件,放入无水乙醇、正丁醇、异丙醇中浸泡2-4小时后,再进行步骤5)至步骤9的过程。

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