[发明专利]二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列及制备方法和储能应用无效
| 申请号： | 201110364153.0 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102418148A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 谢一兵;杜洪秀 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C30B29/66 | 分类号： | C30B29/66;C30B29/00;C30B30/02;C25B3/00;H01G9/042 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 211189 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 钛基聚 吡咯 纳米 阵列 制备 方法 应用 | ||
1.一种二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列，其特征在于：包括管墙独立结构的二氧化钛纳米管阵列和在二氧化钛纳米管(I)内壁面、外壁面上均匀沉积的聚吡咯导电膜，由沉积在二氧化钛纳米管内壁面上的聚吡咯导电膜(II)、二氧化钛纳米管(I)及沉积在二氧化钛纳米管外壁面上的聚吡咯导电膜(III)形成同心轴中空结构的夹套纳米管阵列，夹套纳米管的管壁厚度范围为50-80nm，管内直径范围为30-90nm，管高度范围为900-1100nm。
2.根据权利要求1所述的二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列，其特征在于：管墙独立结构的二氧化钛纳米管阵列是由相邻管壁之间互相间隔分离的纳米管构成，管壁间距范围为35-60nm，管壁厚度范围为10-20nm，管内直径范围为120-150nm，管高度范围为900-1050nm。
3.一种二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列的制备方法，其特征在于：在三电极电化学反应体系中，以吡咯单体和高氯酸锂的乙氰有机溶液为反应电解质溶液，以管墙独立结构的二氧化钛纳米管阵列作为电极基体材料并作为工作电极，铂片为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极，采用电聚合反应合成方法制备二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列。
4.根据权利要求3所述的二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列的制备方法，其特征在于：电聚合反应合成方法为脉冲伏安法，所述的脉冲伏安法设定在工作电极上的起始电位为0.7V，终止电位为1.1V，电位增量范围为0.001-0.004V/s，采样时间宽度为0.02s，脉冲宽度为0.006s，脉冲周期范围为3-20s。
5.根据权利要求3所述的二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列的制备方法，其特征在于：电聚合反应的电解质溶液中的吡咯单体摩尔浓度范围为0.10-0.15mol/L，高氯酸锂摩尔浓度范围为0.03-0.18mol/L，反应介质为乙氰有机溶剂。
6.一种权利要求1所述的二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列作为超级电容器电极材料进行电化学储能的应用。
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