[发明专利]一种偏置电流产生电路以及尾电流源电路

权利要求书

1.一种偏置电流产生电路，其特征在于，包括：基本偏置电流产生单元、偏置电流输出单元；

所述基本偏置电流产生单元，连接在固定电压端和地端之间，用于产生基本偏置电流；

所述偏置电流输出单元，与所述基本偏置电流产生单元的输出端相连，用于将基本偏置电流产生单元产生的基本偏置电流按照1∶N的比例拷贝，N为正整数，并将其输出为偏置电流。

2.根据权利要求1所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述基本偏置电流产生单元为并联双支路电路结构，具体包括：基本偏置电流拷贝子电路和基本偏置电流开关子电路；

所述基本偏置电流拷贝子电路，用于通过电流拷贝控制所述并联双支路产生两路相等的基本偏置电流；

所述基本偏置电流开关子电路，与所述基本偏置电流拷贝子电路相连，用于控制所述并联双支路都处于导通状态。

3.根据权利要求2所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述基本偏置电流产生单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管，第一NMOS管、第二NMOS管，以及第一电阻；

所述第一PMOS管与第二PMOS管两栅极互连，两源极接固定电压端，所述第二PMOS管的栅极与漏极相连，所述第一PMOS管、第二PMOS管构成所述基本偏置电流拷贝子电路；

所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连，源极接地端，栅极与所述第二NMOS管的源极相连；所述第二NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极相连，栅极与所述第一NMOS管的漏极相连，源极通过所述第一电阻接地端；所述第一NMOS管、第二NMOS管，第一电阻构成所述基本偏置电流开关子电路。

4.根据权利要求3所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述输出单元包括第三NMOS管和第二电阻；所述第三NMOS管的漏极为偏置电流输出端，栅极与所述第二NMOS管的栅极相连，源极通过所述第二电阻接地端；所述第三NMOS管的尺寸为所述第二NMOS管的N倍，所述第二电阻的阻值为所述第一电阻的1/N。

5.根据权利要求4所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述第三NMOS管由N个与所述第二NMOS管同尺寸的NMOS管并联构成；所述第二电阻由N个与所述第一电阻同阻值的电阻并联构成。

6.根据权利要求2所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述基本偏置电流产生单元包括：第三PMOS管、第四PMOS管，第四NMOS管、第五NMOS管，以及第三电阻；

所述第四NMOS管与第五NMOS管两栅极互连，两源极接地端，所述第五NMOS管的栅极与漏极相连，所述第四NMOS管、第五NMOS管构成所述基本偏置电流拷贝子电路；

所述第三PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极相连，源极接固定电压端，栅极与所述第四PMOS管的源极相连；所述第四PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的漏极相连，栅极与所述第三PMOS管的漏极相连，源极通过所述第三电阻接固定电压端；所述第三PMOS管、第四PMOS管，第三电阻构成所述基本偏置电流开关子电路。

7.根据权利要求6所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述输出单元包括第五PMOS管和第四电阻；所述第五PMOS管的漏极为偏置电流输出端，栅极与所述第四PMOS管的栅极相连，源极通过所述第四电阻接固定电压端；所述第五PMOS管的尺寸为所述第四PMOS管的N倍，所述第四电阻的阻值为所述第三电阻的1/N。

8.根据权利要求7所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述第五PMOS管由N个与所述第四PMOS管同尺寸的PMOS管并联构成；所述第四电阻由N个与所述第三电阻同阻值的电阻并联构成。

9.一种尾电流源电路，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的偏置电流产生电路，还包括放大单元，所述放大单元与所述偏置电流产生电路的偏置电流输出端相连，所述放大单元用于输出尾电流。

10.根据权利要求9所述的尾电流源电路，其特征在于，所述放大单元为以下两种电路中的一种：

包括第六PMOS管与第七PMOS管，其两栅极互连，两源极接固定电压端，所述第六PMOS管的栅极与漏极相连并与所述偏置电流输出端相连；所述第七PMOS管的漏极为尾电流输出端；

包括第六NMOS管与第七NMOS管，其两栅极互连，两源极接地端，所述第六NMOS管的栅极与漏极相连并与所述偏置电流输出端相连；所述第七NMOS管的漏极为尾电流输出端。