[发明专利]非易失性存储器件及其读取方法

权利要求书

1.一种用于读取非易失性存储器单元阵列中的存储器单元的方法，所述方法包含：

基于单个读取命令，使用硬决策电压集合和至少第一软决策电压集合从存储器单元读取数据。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述读取基于单个读取命令、地址和分辨率指示器使用硬决策电压集合和至少第一软决策电压集合从存储器单元读取数据，所述分辨率指示器指示软决策电压集合的数量。

3.如权利要求2所述的方法，其中，如果读取分辨率指示两个集合，则所述读取步骤使用硬决策电压集合、第一软决策电压集合和第二软决策电压集合从存储器单元读取数据。

4.如权利要求3所述的方法，其中，第二集合中的软决策电压的数量大于第一集合中的软决策电压的数量。

5.如权利要求1所述的方法，还包含：

响应于第一读出命令，基于硬决策电压输出第一读取结果。

6.如权利要求5所述的方法，还包含：

响应于第二读出命令，基于第一软决策电压集合输出第二读取结果。

7.如权利要求6所述的方法，其中

响应于读取命令，所述读取步骤使用硬决策电压、使用第一软决策电压集合并使用第二软决策电压集合从存储器单元读取数据，并且还包括，

响应于第三读出命令，基于第二软决策电压集合输出第三读取结果。

8.如权利要求7所述的方法，其中

所述输出第二读取结果针对输出第一读取结果中输出的每一硬比特输出单个软比特；和

所述输出第三读取结果针对输出第一读取结果中输出的每一硬比特输出单个软比特。

9.如权利要求5所述的方法，其中，所述输出第二读取结果针对输出第一读取结果中输出的每一硬比特输出单个软比特。

10.如权利要求7所述的方法，其中，所述读取步骤响应于读取命令，基于硬决策电压集合、第一软决策电压集合和第二软决策电压集合顺次地执行读取数据。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述读取步骤响应于读取命令，基于硬决策电压集合和第一软决策电压集合顺次地执行读取数据。

12.如权利要求7所述的方法，其中，所述读取步骤包含：

在接收读取命令之后使用硬决策电压集合从存储器单元读取数据；

在接收第一读出命令之后使用第一软决策电压集合从存储器单元读取数据；和

在接收第二读出命令之后使用第二软决策电压集合从存储器单元读取数据。

13.如权利要求5所述的方法，其中，所述读取步骤包含：

在接收读取命令之后使用硬决策电压集合从存储器单元读取数据；和

在接收第一读出命令之后使用第一软决策电压集合从存储器单元读取数据。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述读取步骤包含：

在接收读取命令之后使用硬决策电压集合从存储器单元读取数据；和

在输出使用硬决策电压集合读取的数据之后使用第一软决策电压集合从存储器单元读取数据。

15.如权利要求7所述的方法，其中，所述读取包含：

与输出第一读取结果并行地基于第一软决策电压集合读取数据；和

与输出第二读取结果并行地基于第二软决策电压集合读取数据。

16.如权利要求5所述的方法，其中，所述读取包含：

与输出第一读取结果并行地基于第一软决策电压集合读取数据。

17.如权利要求1所述的方法，其中，存储器单元是多电平存储器单元。