[发明专利]一种耐交流高压陶瓷介质材料及其制备方法无效
申请号: | 201110362181.9 | 申请日: | 2011-11-16 |
公开(公告)号: | CN102491746A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 蔡明通;张子山;张宝林;叶进发;宋运雄 | 申请(专利权)人: | 福建火炬电子科技股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 李秀梅 |
地址: | 362000 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 交流 高压 陶瓷 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及陶瓷介质材料及其制备方法,更具体地说,涉及一种耐交流高压陶瓷介质材料及其制备方法。
背景技术
为满足重要设施内部电源系统的要求,地面电源系统、电力系统、核电站等供电系统都需要大电流高电压。在大功率和高压领域使用的高压陶瓷电容器,要求具有小型、耐高压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步,正向中高压方向发展,并广泛应用于航天、火箭、导弹、高压避雷器、激光、雷达及核工业领域等高压电源以及改善电压分布的高压线路中。伴随电容器的高压化,它的功率也在逐渐增大,特别是对于许多军工武器装置,大功率是一个重要特征,提高电容器的耐高压性能显得尤为突出。
目前交流高压以铅基反铁电系、钛酸钡系和钛酸锶系介质陶瓷材料为主,大力开发无铅化瓷料成为当前技术热点之一。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种无铅化的、介电常数较高的、烧结温度低的耐交流高压陶瓷介质材料及其制备方法。
本发明采用如下的技术方案:
一种耐交流高压陶瓷介质材料,由如下重量百分比的组分组成:80-95%BaTiO3,0.3-2%WO3,0.5-1.5%CeO2,0.1-0.3%CuO,0-2%Er2O3,0-0.2%Ho2O3,1-2.5%ZnO,0.1-1.5%H3BO3,3-10%Bi2O3。
上述陶瓷介质材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤一,将原料BaTiO3进行热处理即把钛酸钡加热到1130℃并保温2小时;
步骤二,按质量百分比80-95%BaTiO3、0.3-2%WO3、0.5-1.5%CeO2、0.1-0.3%CuO、0-2%Er2O3、0-0.2%Ho2O3、1-2.5%ZnO、0.1-1.5%H3BO3和3-10%Bi2O3的配方配料;
步骤三,所配原料与去离子水混合球磨,并干燥;
步骤四,烘干后造粒,压制成生坯;
步骤五,生坯在900-950℃烧成,制得陶瓷介质。
所述步骤三中所配原料与去离子水混合球磨4-6小时,于100℃干燥。
所述步骤四中加入6-7wt%的石蜡造粒。
所述在步骤五中将生坯先按2℃/min的升温速率加热至500℃,再按7℃/min的升温速率加热至900-950℃烧成,保温2-6小时,冷却后制得陶瓷介质。
所述步骤三中干燥后的原料过250-1000孔/cm2分样筛,在步骤四中在6Mpa压强下压制成圆片状生坯。
所述步骤三中球磨时的转速为400r/min。
所述BaTiO3、WO3、CeO2、CuO、Er2O3、Ho2O3、ZnO、H3BO3和Bi2O3均为分析纯试剂。
与现有技术相比,结合实施例的实验数据可知,本发明制备的耐交流高压陶瓷介质材料无铅、介电常数高、烧结温度低,广泛应用于航天、火箭、导弹、高压避雷器、激光、雷达以及核工业等领域。
具体实施方式
以下结合实施例进一步说明本发明的技术方案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建火炬电子科技股份有限公司,未经福建火炬电子科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110362181.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种组织工程用高分子材料支架的制备方法
- 下一篇:一种无缝钛焊管及生产方法