[发明专利]用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法

权利要求书

1.一种用于多电流注入区器件的倒装焊结构，该倒装焊结构包括：

一金属热沉；

一导热绝缘层，该导热绝缘层制作在金属热沉上；

一金属图形层，该金属图形层制作在导热绝缘层的表面，该金属图形层具有两个或两个以上分区；

一半导体器件芯片，该半导体器件芯片焊接在金属图形层上，该半导体器件芯片具有两个或两个以上电流注入区。

2.如权利要求1所述的用于多电流注入区器件的倒装焊结构，其中金属图形层上的金属图形分区与多电流注入区半导体器件芯片的电流注入区一一对应。

3.如权利要求1所述的用于多电流注入区器件的倒装焊结构，其中该半导体器件芯片为超辐射发光二极管或半导体激光器。

4.如权利要求1所述的用于多电流注入区器件的倒装焊结构，其中该导热绝缘层由氮化铝、金刚石、类金刚石、碳化硅、氧化铍的其中一种或它们的多种组合构成。

5.一种用于多电流注入区器件的倒装焊结构的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：取一金属热沉，在其表面用等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射、分子束外延或金属有机化学汽相沉积制作导热绝缘层；

步骤2：在导热绝缘层的表面上依次淀积钛、铂、金，形成表面金属层；

步骤3：采用光刻工艺在表面金属层上制作金属图形，形成金属图形层；

步骤4：在金属图形层上电镀金属铟；

步骤5：将半导体器件芯片外延面向下组装到金属图形层上；

步骤6：将组装好的半导体器件芯片、金属图形层、导热绝缘层和金属热沉进行真空烧结，完成该多电流注入区器件倒装焊结构的制作。

6.如权利要求5所述的用于多电流注入区器件的倒装焊结构的制作方法，其中金属图形层上的金属图形与多电流注入区半导体器件芯片的电流注入区一一对应。

7.如权利要求5所述的用于多电流注入区器件的倒装焊结构的制作方法，其中该半导体器件芯片为超辐射发光二极管或半导体激光器。

8.如权利要求5所述的用于多电流注入区器件的倒装焊结构的制作方法，其中该导热绝缘层由氮化铝、金刚石、类金刚石、碳化硅、氧化铍的其中一种或它们的多种组合构成。

9.一种用于多电流注入区器件的倒装焊结构的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：取一金属热沉，在其表面电镀金属铟；

步骤2：取一导热绝缘基片作为导热绝缘层；

步骤3：在导热绝缘层的上下表面蒸镀钛、铂、金，形成表面金属层；

步骤4：采用光刻工艺在导热绝缘层的其中一面的金属层上制作金属图形，形成金属图形层；

步骤5：在金属图形层上电镀金属铟；

步骤6：将导热绝缘层制作了金属图形的一面朝上组装到金属热沉上，将半导体器件芯片外延面向下组装到导热绝缘层上的金属图形层上；

步骤6：将组装好的半导体器件芯片、金属图形层、导热绝缘层和金属热沉进行真空烧结，完成该多电流注入区器件倒装焊结构的制作。

10.如权利要求9所述的用于多电流注入区器件的倒装焊结构的制作方法，其中金属图形层上的金属图形与多电流注入区半导体器件芯片的电流注入区一一对应。

11.如权利要求9所述的用于多电流注入区器件的倒装焊结构的制作方法，其中该半导体器件芯片为超辐射发光二极管或半导体激光器。

12.如权利要求9所述的用于多电流注入区器件的倒装焊结构的制作方法，其中该导热绝缘层由氮化铝、金刚石、类金刚石、碳化硅、氧化铍的其中一种或它们的多种组合构成。