[发明专利]具有高形状各向异性的XMR传感器

权利要求书

1.一种磁阻传感器元件，包括：

第一磁阻堆叠部分，其包括自由层并且具有第一、第二、第三和第四侧边；和

第二磁阻堆叠部分，其耦合到所述第一磁阻堆叠部分并且具有与所述第一、第二、第三和第四侧边均不齐平的第五、第六、第七和第八侧边。

2.如权利要求1所述的磁阻传感器元件，其中所述第一、第二、第三和第四侧边限定了具有第一面积的第一表面，并且其中所述第五、第六、第七和第八侧边限定了具有不同于所述第一面积的第二面积的第二表面。

3.如权利要求2所述的磁阻传感器元件，其中所述第二面积大于所述第一面积。

4.如权利要求2所述的磁阻传感器元件，其中所述第二面积小于所述第一面积。

5.如权利要求1所述的磁阻传感器元件，其中所述磁阻传感器元件是巨磁阻（GMR）或隧道磁阻（TMR）传感器元件之一。

6.如权利要求1所述的磁阻传感器元件，其中所述第一磁阻堆叠部分通过镶嵌过程形成而所述第二磁阻堆叠部分通过蚀刻过程形成。

7.如权利要求6所述的磁阻传感器元件，其中所述蚀刻过程包括化学蚀刻或溅射蚀刻之一。

8.如权利要求1所述的磁阻传感器元件，其中所述第一磁阻堆叠部分通过剥离过程形成而所述第二磁阻堆叠部分通过蚀刻过程形成。

9.如权利要求8所述的磁阻传感器元件，其中所述蚀刻过程包括化学蚀刻或溅射蚀刻之一。

10.如权利要求1所述的磁阻传感器元件，其中所述第一和第二磁阻堆叠部分通过镶嵌过程形成。

11.如权利要求1所述的磁阻传感器元件，其中所述第一、第二、第三或第四侧边中的至少一个具有约200纳米或更少的长度。

12.一种制造磁阻传感器元件的方法，包括：

提供衬底；

将电介质层施加于所述衬底并且对所述电介质层进行构造；

施加自由层系统并对所述自由层系统进行构造；

将附加堆叠层施加于所述自由层系统上；并且

对所述附加堆叠层进行构造以使得所述附加堆叠层的横向尺寸大于所述自由层系统的横向尺寸，并且所述附加堆叠层的侧边与所述自由层系统的侧边不齐平。

13.如权利要求12所述的方法，进一步包括在施加所述附加堆叠层之前通过化学机械抛光（CMP）过程去除所述电介质层上的自由层系统材料。

14.如权利要求12所述的方法，其中对所述电介质层进行构造包括在所述电介质层中形成沟槽，并且其中施加所述自由层系统包括利用自由层系统材料填充所述沟槽。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述沟槽的长度或宽度中的至少一个为大约200纳米或更少。

16.如权利要求12所述的方法，其中所述磁阻传感器元件包括巨磁阻（GMR）效应或隧道磁阻（TMR）效应之一。

17.一种制造磁阻传感器元件的方法，包括：

提供衬底；

将第一电介质层施加于所述衬底；

在所述第一电介质层中形成沟槽；

将xMR堆叠施加于所述第一电介质层上，所述沟槽的高度大于所述xMR堆叠的高度；

将第二电介质层施加于所述xMR堆叠上；并且

从所述第一电介质层去除所述xMR堆叠和第二电介质层的部分。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述xMR堆叠包括巨磁阻（GMR）效应或隧道磁阻（TMR）效应之一。

19.如权利要求17所述的方法，其中去除所述xMR堆叠和第二电介质层的部分包括应用化学机械抛光（CMP）过程。

20.如权利要求17所述的方法，其中所述沟槽的长度或宽度中的至少一个为大约200纳米或更少。