[发明专利]布线结构的形成方法

权利要求书

1.一种布线结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成接触孔；

沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述接触孔的底部和侧壁，并覆盖所述第一介质层的上表面；

对所述第一金属层进行刻蚀湿法刻蚀、然后再进行干法刻蚀，形成所述第一开口，其中湿法刻蚀所腐蚀的第一金属层厚度占所述第一金属层总厚度的25％至40％，所述第一金属层剩余厚度由干法刻蚀刻净，以在其上形成碗口状的第一开口；

沉积第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一开口的底部和侧壁，并覆盖所述第一金属层的上表面；

对所述第二介质层进行刻蚀，方法为对所述第二介质层进行光刻，形成图形，带胶高温烘烤后，然后再进行湿法刻蚀，在所述第二介质层上形成倒梯形通孔；

沉积第二金属层，所述第二金属层覆盖所述通孔的底部和侧壁，并覆盖所述第二介质层的上表面；

对所述第二金属层进行刻蚀湿法刻蚀、然后再进行干法刻蚀，形成所述第一开口，其中湿法刻蚀所腐蚀的第一金属层厚度占所述第一金属层总厚度的20％至35％，所述第二金属层剩余厚度由干法刻蚀刻净，以在其上形成碗口状的第二开口。

2.根据权利要求1所述的布线结构的形成方法，其特征在于，所述接触孔的侧壁包括上下相接的上侧壁和下侧壁，所述上侧壁与所述第一介质层上表面水平方向的夹角为30°至60°，所述下侧壁与所述半导体衬底上表面水平方向的夹角为85°至90°。

3.根据权利要求1所述的布线结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度为7000～9000折射率为1.4～1.5，膜厚均匀性在3％以内。

4.根据权力要求1所述的布线结构的形成方法，其特征在于，覆盖在所述第一开口侧壁的第二介质层的厚度与覆盖在所述第一开口底部的第二介质层的厚度之比为0.6～0.8，覆盖在所述第一开口侧壁的第二介质层的厚度与覆盖在所述第一金属层上表面的第二介质层的厚度之比为0.45～0.65，覆盖在所述第一开口底部的第二介质层的厚度与覆盖在所述第一金属层上表面的第二介质层的厚度之比为0.6～0.9。

5.根据权利要求1所述的布线结构的形成方法，其特征在于，对所述第二金属层进行刻蚀之后，还包括：

淀积钝化层，所述钝化层覆盖所述第二开口底部和侧壁，并覆盖所述第二金属层和第二介质层的上表面。

6.根据权利要求5所述的布线结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层为叠层结构，包括：第一无掺杂硅玻璃层、位于所述第一无掺杂硅玻璃层上的磷硅玻璃层、位于所述磷硅玻璃层上的第二无掺杂硅玻璃层以及位于所述第二无掺杂硅玻璃层上的氮化硅层。