[发明专利]一种低损耗微波介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种低损耗微波介质陶瓷，原料组分及其摩尔百分比含量为(Mg_1-xM_x)_1.8Ti_1.1O₄，其中O.01≤x≤0.1，M＝Zn或Ni。

2.根据权利要求1的低损耗微波介质陶瓷，其特征在于，该微波介质陶瓷以MgO和TiO₂为原料，ZnO、NiO为添加剂。

3.权利要求1的低损耗微波介质陶瓷的制备方法，具有如下步骤：

(1)将MgO、TiO₂、ZnO、NiO按化学计量式(Mg_1-xM_x)_1.8Ti_1.1O₄，其中0.01≤x≤0.1，M＝Zn或Ni，进行配料；以料∶去离子水∶锆球的质量比为1∶1∶1.5的比例加入聚酯罐中，球磨4～24小时；

(2)将步骤(1)球磨后的原料放置干燥箱中，于100～120℃烘干，烘干后过40目筛；

(3)将步骤(2)烘干、过筛后的粉料放入中温炉，于900～1150℃预烧，保温2～8小时；

(4)将步骤(3)预烧后的粉料加入质量百分比为8％～10％的石蜡作为粘合剂进行造粒，过80目筛，用粉末压片机以4～8MPa的压力压成生坯；

(5)将步骤(4)的生坯于1250℃-1450℃烧结，保温2～8小时，制成低损耗微波介质陶瓷。

(6)将步骤(5)制得的微波介质陶瓷进行物理及介电性能检测。

4.根据权利要求3的低损耗微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的球磨设备为行星式球磨机，转速为1000转/分。

5.根据权利要求3的低损耗微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)的预烧温度为900℃，保温4小时。

6.根据权利要求3的低损耗微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)的粉料中加入质量百分比含量为8％的石蜡作为粘合剂进行造粒，在4MPa的压力下将粉末压成直径为10mm，厚度为5mm的生坯。

7.根据权利要求3的低损耗微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)的生坯烧结温度为1375℃，保温4小时。