[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：

提供衬底，形成有源层，形成栅极金属层，以及形成源漏金属层，其特征在于，该方法还包括：

在氧化气氛中加热所述有源层来形成第一栅极绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热温度在300℃-1200℃的范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源层为多晶硅层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过在含氧的气氛中加热所述多晶硅层生成SiO₂，从而形成所述第一栅极绝缘层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化气氛的氧气含量为大于98％，并且水含量小于10ppm，或者所述氧化气氛的氧气含量为大于97％，并且水含量为10-1000ppm。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过在含氮的气氛中加热所述多晶硅层生成SiN_x，从而形成所述第一栅极绝缘层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于所述含氮的气氛含有N₂或NH₃。

8.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括通过化学气相沉积法或溅射法在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二栅极绝缘层包含SiO₂或SiN_x。

10.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其特征在于，该方法具体为，

在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成非晶硅层，通过准分子激光法将所述非晶硅层晶化来形成多晶硅层作为所述有源层；以及

在形成所述第一栅极绝缘层之后，依次形成所述栅极金属层和所述源漏金属层。

11.一种薄膜晶体管，包括衬底、有源层、栅极金属层、第一栅极绝缘层和源漏金属层，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的介电强度为至少8×10⁶ V·cm^-1。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层是在氧化气氛中加热所述有源层形成的，并且所述有源层为多晶硅层。

13.根据权利要求11或12所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管在所述第一栅极绝缘层上还包括通过化学气相沉积法或溅射法形成的第二栅极绝缘层。

14.一种显示器件，其特征在于，包括权利要求11所述的薄膜晶体管。