[发明专利]驱动激光二极管的方法无效
| 申请号： | 201110358564.9 | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102420387A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 横山弘之;河野俊介;大木智之;池田昌夫;宫嶋孝夫;渡边秀辉 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01S5/062 | 分类号： | H01S5/062;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 驱动 激光二极管 方法 | ||
1.一种驱动激光二极管的方法，其包括利用比阈值电压值高2倍以上的脉冲电压驱动所述激光二极管的步骤。
2.根据权利要求1所述的驱动激光二极管的方法，其中，所述脉冲电压的宽度为10纳秒以下。
3.根据权利要求1所述的驱动激光二极管的方法，其中，所述脉冲电压的值为8伏以上。
4.根据权利要求1所述的驱动激光二极管的方法，其中，所述激光二极管是具有脊条型分离封闭异质结构的激光二极管。
5.根据权利要求2所述的驱动激光二极管的方法，其中，
所述激光二极管包括由第一化合物半导体层、具有量子阱结构的活性层、第二化合物半导体层构成的层叠结构体，还包括与所述第一化合物半导体层电连接的第一电极以及与所述第二化合物半导体层电连接的第二电极，并且
所述层叠结构体由AlGaInN基化合物半导体制成。
6.根据权利要求3所述的驱动激光二极管的方法，其中，
所述激光二极管包括由第一化合物半导体层、具有量子阱结构的活性层、第二化合物半导体层构成的层叠结构体，还包括与所述第一化合物半导体层电连接的第一电极以及与所述第二化合物半导体层电连接的第二电极，并且
所述层叠结构体由AlGaInN基化合物半导体制成。
7.根据权利要求1所述的驱动激光二极管的方法，其中，
所述激光二极管包括由第一化合物半导体层、具有量子阱结构的活性层、第二化合物半导体层构成的层叠结构体，还包括与所述第一化合物半导体层电连接的第一电极以及与所述第二化合物半导体层电连接的第二电极，并且
所述层叠结构体由AlGaInN基化合物半导体制成。
8.根据权利要求7所述的驱动激光二极管的方法，其中，
所述第二电极被布置在所述第二化合物半导体层上，并且
从所述活性层至所述第二电极的距离为1μm以下。
9.根据权利要求7所述的驱动激光二极管的方法，其中，
所述第二化合物半导体层掺杂有1×1019cm-3以上的Mg，并且
所述第二化合物半导体层对405nm波长的光的吸收系数至少是50cm-1。
10.根据权利要求7所述的驱动激光二极管的方法，其中，
所述第二化合物半导体层从所述活性层一侧依次包括未掺杂的化合物半导体层和p型化合物半导体层，并且
从所述活性层至所述p型化合物半导体层的距离是1.2×10-7m以下。
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