[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110358442.X | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102364708A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;杨扬;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种电致发光器件，包括P型硅衬底(1)、自下而上依次沉积在 P型硅衬底(1)正面的发光层(2)和电极层(3)及沉积在P型硅衬底 (1)背面的欧姆接触电极(4)，其特征在于，所述的发光层为掺Er的TiO2膜。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的电极 层为透明的ITO膜。
3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述的ITO 膜厚度为140～160nm。
4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的欧姆 接触电极为Au膜。
5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述的Au 膜厚度为140～160nm。
6.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的P型 硅片的厚度为600～700微米，电阻率为0.001～0.01欧姆·厘米。
7.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的掺Er 的TiO2膜的厚度为180～200nm。
8.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述的掺Er 的TiO2膜中Er/Ti的比例为0.01-0.05。
9.一种制备权利要求1所述的电致发光器件的方法，包括：
在P型硅衬底正面依次通过磁控溅射法沉积掺Er的TiO2膜和直流溅 射法沉积电极层，在P型硅衬底的背面通过直流溅射法沉积欧姆接触电 极。
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