[发明专利]一种用于PECVD多点进气多区可调装置有效
申请号: | 201110358404.4 | 申请日: | 2011-11-11 |
公开(公告)号: | CN103103500B | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;郭玉飞;王学敏;李松 | 申请(专利权)人: | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/50 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 pecvd 多点 进气多区 可调 装置 | ||
1.一种用于PECVD多点进气多区可调装置,其特征在于:包括排气区体、 进水管(4)、回水管(8)、硅烷进气口(5)及氨气进气口(6),其中进水管(4)、 回水管(8)、硅烷进气口(5)及氨气进气口(6)均布置在排气区体上;所述 排气区体包括第一排气区(1)、第二排气区(2)及第三排气区(3),各工艺区 域分别安装有进气装置和排气装置,各工艺区域的进气装置分别由各自的气源 进气,在气源与各进气装置之间安装有至少一个质量流量计。
2.按权利要求1所述的用于PECVD多点进气多区可调装置,其特征在于: 所述排气区体底部设有底部气孔喷头,该底部气孔喷头通过管路与氨气进气口 (6)连接。
3.按权利要求2所述的用于PECVD多点进气多区可调装置,其特征在于: 所述底部气孔喷头上的气孔呈“一”字排列。
4.按权利要求1所述的用于PECVD多点进气多区可调装置,其特征在于: 所述排气区体端部设有端部气孔喷头,该端部气孔喷头通过管路与硅烷进气口 (5)连接。
5.按权利要求4所述的用于PECVD多点进气多区可调装置,其特征在于: 所述端部气孔喷头上的气孔呈“一”字排列。
6.按权利要求1所述的用于PECVD多点进气多区可调装置,其特征在于: 所述排气区体内设有防护槽。
7.按权利要求6所述的用于PECVD多点进气多区可调装置,其特征在于: 所述防护槽为U形或V形。
8.按权利要求6所述的用于PECVD多点进气多区可调装置,其特征在于: 所述防护槽采用不锈钢或碳纤维材料。
9.按权利要求1所述的用于PECVD多点进气多区可调装置,其特征在于: 所述硅烷进气口(5)设在排气区体的左侧和右侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司,未经中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110358404.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:新型光路偏折摄像镜头
- 下一篇:一种生产优质低凝点马达燃料的两段法加氢方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的