[发明专利]一种磁控溅射系统无效

专利信息
申请号: 201110358232.0 申请日: 2011-11-11
公开(公告)号: CN103103486A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 赵科新;佟辉;周景玉;刘丽华;张雪;戚晖 申请(专利权)人: 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 白振宇
地址: 110168 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁控溅射 系统
【权利要求书】:

1.一种磁控溅射系统,其特征在于:包括磁控室(1)、基片转台、基片转台驱动电机、传动机构、磁控靶(6)、机台架(7)、真空抽气系统及电动提升机构(14),其中磁控室(1)安装在机台架(7)上、与位于机台架(7)内的真空抽气系统相连,在磁控室(1)内均布有多个安装在磁控室(1)的下法兰(15)上的磁控靶(6);所述基片转台转动安装在磁控室(1)的上盖(2)上,所载基片位于磁控室(1)内、各磁控靶(6)的上方,磁控室(1)的上盖(2)上还安装有基片转台驱动电机,所述基片转台通过传动机构由基片转台驱动电机驱动旋转;所述机台架(7)内安装有电动提升机构(14),该电动提升机构(14)的输出端由机台架(7)穿出、与磁控室(1)的上盖(2)相连接,带动上盖(2)及上盖(2)上的基片转台和基片转台驱动电机升降。

2.按权利要求1所述的磁控溅射系统,其特征在于:所述磁控靶(6)具有垂直基片转台或倾斜基片转台两个工作位,每个磁控靶(6)上方均设有一个磁控靶挡板(8),该磁控靶挡板(8)与安装在机台架(7)内部的第三电机(19)相连,通过第三电机(19)驱动开关磁控靶挡板(8)。

3.按权利要求1所述的磁控溅射系统,其特征在于:所述每个磁控靶(6)的外围均设有安装在磁控室(1)的下法兰(15)上的磁控靶屏蔽筒(13)。

4.按权利要求1所述的磁控溅射系统,其特征在于:所述基片转台为基片水冷加热公转台(3),其一端载有基片、插入磁控室(1)内,另一端位于上盖(2)的上方;所述上盖(2)上安装有第一电机(4),该第一电机(4)通过同步带和带轮组件(12)与基片水冷加热公转台(3)连接、带动基片水冷加热公转台(3)旋转;所述磁控室(1)内转动安装有电动基片挡板(5),该电动基片挡板(5)的一端位于基片水冷加热公转台(3)载有基片的一端与各磁控靶(6)溅射端之间,电动基片挡板(5)的另一端与安装在机台架(7)内的第二电机(18)相连,通过第二电机(18)驱动旋转。

5.按权利要求4所述的磁控溅射系统,其特征在于:所述电动基片挡板(5)位于各磁控靶(6)的中间,各磁控靶(6)垂直于电动基片挡板(5);该电动基片挡板(5)的一端为圆形挡板,上面开有露出被镀基片的圆孔。

6.按权利要求4所述的磁控溅射系统,其特征在于:所述基片水冷加热公转台(3)的另一端设有与计算机控制系统电连接的圆光栅编码器(16)。

7.按权利要求4所述的磁控溅射系统,其特征在于:所述基片水冷加热公转台(3)上具有六个工位,其中一或两个工位上方设有加热炉,其余工位通水冷却。

8.按权利要求1所述的磁控溅射系统,其特征在于:所述基片转台为单加热自转盘(24),其一端载有基片、插入磁控室(1)内,另一端位于上盖(2)的上方;所述上盖(2)上安装有第四电机(26),该第四电机(26)驱动单加热自转盘(24)旋转。

9.按权利要求8所述的磁控溅射系统,其特征在于:所述单加热自转盘(24)具有一个加热工位、处于单加热自转盘(24)的中间,各磁控靶(6)位于该单加热自转盘(24)加热工位的周围;在单加热自转盘(24)的加热工位上载有基片,该基片下方设有手动基片挡板组件(25)。

10.按权利要求1所述的磁控溅射系统,其特征在于:所述基片转台为单冷却自转盘(27),其一端载有基片、插入磁控室(1)内,另一端位于上盖(2)的上方;所述上盖(2)上安装有第一电机(4),该第一电机(4)通过同步带和带轮组件(12)与基片水冷加热公转台(3)连接、带动基片水冷加热公转台(3)旋转。

11.按权利要求10所述的磁控溅射系统,其特征在于:所述单冷却自转盘(27)具有一个冷却工位、处于单冷却自转盘(27)的中间,各磁控靶(6)位于该单冷却自转盘(24)冷却工位的周围;在单冷却自转盘(27)的冷却工位上载有基片,该基片下方设有手动基片挡板组件(25)。

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