[发明专利]基于激光掺杂制备发射极的n型晶体硅太阳电池的制备方法无效
| 申请号： | 201110357794.3 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102368510A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 梁宗存;叶小帅;朱彦斌;沈辉 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 罗毅萍 |
| 地址： | 520006 广东省广州市大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 激光 掺杂 制备 发射极 晶体 太阳电池 方法 | ||
1.根据权利要求1所述的基于激光掺杂制备发射极的n型太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对晶体硅片进行清洗制绒，在该晶体硅片前表面涂敷硼酸；
(2)在涂有硼酸的晶体硅片的前表面利用激光面扫描的方法制成电池的P-N结，并清洗；
(3)采用Al2O3/SiO2叠层介质膜钝化电池前后表面；
(4)在电池的前表面镀SiNx减反膜，电池背面采用激光烧蚀技术形成局域开孔；
(5)采用丝网印刷制电极及烧结测试，完成电池的制备过程。
2.根据权利要求1所述的基于激光掺杂制备发射极的n型太阳电池的制备方法，其特征在于，上述步骤(1)中所述的晶体硅片为n型晶体硅片。
3.根据权利要求1或2所述的基于激光掺杂制备发射极的n型太阳电池的制备方法，其特征在于，上述步骤(1)所述的硼酸为固体硼酸溶于酒精制成的浓度为1％～5.0％的溶液，所述涂覆方法是采用旋涂的方法。
4.根据权利要求1所述的基于激光掺杂制备发射极的n型太阳电池的制备方法，其特征在于，上述步骤(2)采用的激光的参数为：功率1～1000W、波长1100～200nm的脉冲或连续激光光束。
5.根据权利要求1所述的基于激光掺杂制备发射极的n型太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)采用Al2O3/SiO2叠层介质膜钝化电池前后表面。
6.根据权利要求1所述的基于激光掺杂制备发射极的n型太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述的电池背面采用激光烧蚀技术形成局域开孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
