[发明专利]一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种有助于消除U型镍硅化物的器件。

背景技术

在现有的镍硅化物结构中，常采用侧墙成型的工艺过程。但是侧墙成型工艺过程中（干法刻蚀）极易造成栅极削角，同时，栅极和侧墙之间的氧化物会在整合过程中形成一定深度的空洞。图1为现有的采用侧墙成型工艺过程的镍硅化物，请参见图1所示。实际上在当镍和多晶硅发生反应形成硅化物时，镍是移动的一方，因此最终栅极镍硅化物（NiSi）很容易呈现倒U形。

发明内容

本发明提供一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，有效地解决现有U型镍硅化物造成削角和空洞等的问题。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，包括有多晶硅，在所述多晶硅的顶部局部开槽，该开槽工艺采用新的光罩，采用单次图形化和刻蚀成形，以形成栅极，当镍与所述多晶硅发生反应形成硅化物时，最终成形为形貌平直的栅极镍硅化物。

上述的有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，第一步，在所述多晶硅上进行薄膜沉积，然后旋涂光阻进行光刻，再采用干法刻蚀打开氧化物。

上述的有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，第二步，去除光阻，然后进行高温氧化。

上述的有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，第三步，进行多晶硅栅极刻蚀，然后去除氧化层。

一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，包括有多晶硅，依次沉积氧化硅和氮化硅薄膜作为基底，在所述多晶硅的顶部局部开槽，该开槽工艺采用多晶硅栅极逆光罩，配合薄膜沉积，采用自对准干法刻蚀形成栅极顶部开槽，单次图形化和两次干法刻蚀，以形成栅极，当镍与所述多晶硅发生反应形成硅化物时，最终成形为形貌平直的栅极镍硅化物。

上述的有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，第一步，在所述多晶硅和氧化硅、氮化硅基底上采用逆光罩进行图形化工艺。

上述的有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，第二步，进行氮化硅的沉积。

上述的有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，第三步，进行干法刻蚀。

上述的有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，第四步，进行高温氧化

上述的有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，第五步，进行多晶硅栅极刻蚀，然后去除氧化层。

本发明由于采用了上述技术，使之具有的积极效果是：

通过在多晶硅上成型顶部局部开槽的栅极方法，从而最终形成形貌平直的栅极镍硅化物。

附图说明

图1是现有的采用侧墙成型工艺过程的镍硅化物；

图2是本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构的第一种工艺流程第一步的示意图；

图3是本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构的第一种工艺流程第二步的示意图；

图4是本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构的第一种工艺流程第三步的示意图；

图5是本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构的第二种工艺流程第一步的示意图；

图6是本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构的第二种工艺流程第二步的示意图；

图7是本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构的第二种工艺流程第三步的示意图；

图8是本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构的第二种工艺流程第四步的示意图；

图9是本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构的第二种工艺流程第五步的示意图。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺的具体实施方式。

本发明的第一种方法：

图2为本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构的第一种工艺流程第一步的示意图，图3为本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构的第一种工艺流程第二步的示意图，图4为本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构的第一种工艺流程第三步的示意图，请参见图2至图4所示。本发明的一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，包括有多晶硅4，在多晶硅4的顶部局部进行开槽，并且该开槽的工艺采用新的光罩，采用单次图形化和刻蚀成形，以有效地形成栅极。当镍和多晶硅4发生反应形成硅化物时，使其最终成形为形貌平直的栅极镍硅化物。

本发明在上述基础还具有如下实施方式：