[发明专利]溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法

权利要求书

1.一种在衬底(12)上溅射硫化镉层(18)的方法，所述方法包括：

在溅射气氛中从靶(64)在衬底(12)上溅射硫化镉层(18)，其中所述靶(64)包括按重量约75％至约100％的镉，并且其中所述溅射气氛包括含硫的源气体。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述靶(64)大致上没有硫。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述靶(64)基本上由镉组成。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述靶(64)由镉组成。

5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述溅射气氛包括按体积约25％至100％、优选地按体积约50％至100％的量的大致含硫的源气体。

6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述含硫的源气体包括硫气、硫化氢、二硫化碳、六氟化硫、二氯化硫、二甲基硫醚、链烷硫醇、硫醚或其混合物。

7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述含硫的源气体是硫化氢。

8.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述溅射气氛大致上没有卤化物。

9.如权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述溅射气氛大致上没有碳。

10.如权利要求1-9中任一项所述的方法，其中所述溅射气氛进一步包括氧。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述溅射气氛包括按体积约1％至约25％氧量的氧气。

12.如权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述溅射气氛包括吸杂剂。

13.如权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述溅射气氛具有约10毫托至约150毫托的溅射压强。

14.一种制造碲化镉薄膜光伏器件的方法，所述方法包括：

在透明传导氧化物层上沉积高阻透明缓冲层，其中所述透明传导氧化物层是在衬底上；

根据权利要求1-13中任一项所述，在所述高阻透明缓冲层上溅射硫化镉层；和

在所述硫化镉层上沉积碲化镉层。