[发明专利]测试光掩模板及其应用有效
申请号: | 201110355463.6 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN102520578A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 毛智彪;戴韫青;王剑 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 模板 及其 应用 | ||
1.一种测试光掩模板,用于测试当层金属层的平坦度与图形密度的关系,其特征在于:所述测试光掩模板的版图由nxm个区域构成,每个所述区域具有不同的图形密度,每个区域包括孤立线条、孤立线条两侧的亚分辨率辅助图形和可分辨率辅助图形、半密集线条、密集线条和冗余图形阵列,其中n为大于等于1的整数,m为大于等于1的整数。
2.根据权利要求1所述的测试光掩模板,其特征在于:所述孤立线条、半密集线条和密集线条的线条线宽大于等于当层金属层的最小可分辨线宽。
3.根据权利要求1所述的测试光掩模板,其特征在于:所述冗余图形阵列由相同尺寸的冗余图形构成,冗余图形的线宽大于等于当层金属层的最小可分辨线宽。
4.根据权利要求1所述的测试光掩模板,其特征在于:所述冗余图形阵列由不同尺寸的冗余图形构成,冗余图形的线宽大于等于当层金属层的最小可分辨线宽。
5.一种根据权利要求1所述的测试光掩模板的应用,其特征在于,包括以下步骤:
获取所述光掩模板版图中nxm个区域的图形密度和相邻区域的图形密度梯度;
在衬底上沉积低介电常数薄膜;
在低介电常数薄膜上涂覆光刻胶,光刻形成测试光掩模板的图形;
通过对光刻胶中各种线条线宽的量测,获取亚分辨率辅助图形和可分辨率辅助图形对线条线宽影响的信息;
刻蚀低介电常数薄膜形成对应于半密集线条和密集线条的金属导线槽、对应于冗余图形的冗余金属槽和对应于可分辨率辅助图形的辅助图形冗余金属槽;
在上述结构表面沉积金属;
化学机械研磨形成由导线金属、冗余金属和辅助图形冗余金属组成的金属层;
测量nxm个区域经过化学机械研磨后金属层的平坦度,建立金属层化学机械研磨的工艺菜单;
获取nxm个区域的密度、相邻区域的密度梯度和各区域经过化学机械研磨后的平坦度之间关系。
6.根据权利要求5所述的测试光掩模板的应用,其特征在于:所述孤立线条、半密集线条和密集线条的线条线宽大于等于当层金属层的最小可分辨线宽。
7.根据权利要求5所述的测试光掩模板的应用,其特征在于:所述冗余图形阵列由相同尺寸的冗余图形构成,冗余图形的线宽大于等于当层金属层的最小可分辨线宽。
8.根据权利要求5所述的测试光掩模板的应用,其特征在于:所述冗余图形阵列由不同尺寸的冗余图形构成,冗余图形的线宽大于等于当层金属层的最小可分辨线宽。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备