[发明专利]一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法有效
申请号: | 201110355312.0 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN102508079A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 仇光寅;魏彦锋;陈倩男;孙权志;孙瑞赟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 去除 碲镉汞 界面 霍尔 样品 制备 方法 | ||
1.一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)采用常规清洗碲镉汞外延层的方法清洗抗腐蚀基底(4)和碲镉汞外延层材料,保持材料及抗腐蚀基底表面的清洁;
2)使用抗腐蚀黏胶(3)将清洗干净的碲镉汞外延材料(2)与抗腐蚀基底(4)粘紧,并放于烘箱中烘干,使碲镉汞外延材料与抗腐蚀基底紧密接触;
3)使用选择性腐蚀剂去除碲锌镉衬底(1),选择性腐蚀剂选用盐酸、硝酸和重铬酸钾,其摩尔配比为:盐酸∶硝酸∶重铬酸钾=30-80∶20-60∶1-5;
4)采用溴甲醇溶液腐蚀去除碲锌镉衬底(1)的外延层材料,消除可能存在的界面层,溴甲醇溶液选用1‰~5%的溴甲醇稀释溶液;
5)在去除界面层的碲镉汞外延材料(2)的四角上焊上后续进行霍尔测试所需的In电极(2-1)。
2.根据权利要求1所述的一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法,其特征在于:步骤1)中所述的抗腐蚀基底选用1~3mm厚的宝石片。
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