[发明专利]基于BeZnO的MSM结构的紫外光探测器及制备方法

权利要求书

1.一种基于BeZnO的MSM结构的紫外光探测器，其特征在于：包括衬底（1）及生长于衬底（1）上的外延层，所述外延层包括应力缓冲层（2）与设在应力缓冲层（2）上的BeZnO掺杂层(3)，所述BeZnO掺杂层(3)上镀有叉指结构（5）或者间隙结构（6）的电极层（4）。

2.根据权利要求1所述的基于BeZnO的MSM结构的紫外光探测器，其特征在于：所述衬底（1）材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓以及砷化镓。

3.根据权利要求1所述的基于BeZnO的MSM结构的紫外光电导探测器，其特征在于：所述应力缓冲层（2）为氧化铍、铍、氧化镁、镁、氧化锌中的一种或多种材料组成，其厚度为10nm～1000nm。

4.根据权利要求1所述的基于BeZnO的MSM结构的紫外光电导探测器，其特征在于：所述BeZnO掺杂层（3）中还掺有镁、钙、镉、锂、硼、铝、硅、镓一种或多种材料，其厚度为100nm～3000nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的基于BeZnO的MSM结构的紫外光电导探测器，其特征在于：所述叉指结构或者间隙结构的电极层（4）作为肖特基接触或者欧姆接触镀在BeZnO掺杂层（3）上。

6.根据权利要求5所述的基于BeZnO的MSM结构的紫外光电导探测器，其特征在于：所述叉指结构（5）的叉指的长为1000μm～2000μm，宽为1μm～25μm；所述叉指的间距为1μm～25μm。

7.根据权利要求5所述的基于BeZnO的MSM结构的紫外光电导探测器，其特征在于：所述间隙结构（6）的间隙（7）长为5～1000μm,高为1000～5000μm。

8.一种如权利要求1-7所述的基于BeZnO的MSM结构的紫外光电导探测器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）清洗衬底：所述衬底（1）在生长之前经过丙酮、异丙醇、氢氟酸等化学试剂清洗；然后进行退火；使衬底（1）表面晶体排列更整齐；

2）沉积应力缓冲层：所述应力缓冲层（2）通过分子束外延、金属有机化学气相沉积、激光脉冲沉积或磁控溅射沉积在衬底上;

3）沉积BeZnO掺杂：所述BeZnO掺杂层（3）通过分子束外延、金属有机化学气相沉积、激光脉冲沉积或磁控溅射沉积在应力缓冲层（2）上;

4）镀电极层：在BeZnO掺杂层（3）上镀上沉积叉指结构（5）或者间隙结构（6）的电极层（4）。

9.根据权利要求8所述的基于BeZnO的MSM结构的紫外光探测器的制备方法，其特征在于：所述叉指结构（5）或者间隙结构（6）的电极层（4）的沉积包括以下步骤；

1）清洗：用丙酮、异丙醇、氢氟酸等化学试剂对BeZnO掺杂层（3）表面进行清洗，以得到干净平整的表面；

2）光刻：然后用光刻方法对BeZnO掺杂层（3）表面涂胶甩胶、曝光、显影后得出叉指状结构的图形；

3）蒸镀：所述BeZnO掺杂层（3）上通过电子束蒸镀镀上电极金属，得到作为欧姆接触或肖特基接触的厚度为10～500nm的叉指结构或者间隙结构的电极层（4）；

4）再沉积：所述电极层（4）上再沉积10～1000nm的金或银。

10.根据权利要求9所述的基于BeZnO的MSM结构的紫外光探测器的制备方法，其特征在于：步骤3）中所述电极金属为钛、铝、镍、金、铂、银、铱、钼、钽、铌、钴、锆或钨。