[发明专利]固态发光元件的制作方法

权利要求书

1.一种固态发光元件的制作方法，该方法包括：

提供一第一基板；

形成多个间隔排列的凸出结构于该第一基板上；

形成一缓冲层于该些凸出结构上，该缓冲层填满于该些凸出结构之间的间隙；

形成一由第二型半导体外延层、一有源层以及一第一型半导体外延层依序成长的外延成长层于该缓冲层上，形成一第一半导体堆叠结构；

将该第一半导体堆叠结构倒置于一第二基板上，以使该第一型半导体外延层接合该第二基板，形成一第二半导体堆叠结构；

以一第一蚀刻液处理该第二半导体堆叠结构，使得该缓冲层被蚀刻掉，形成一第三半导体堆叠结构；

以一第二蚀刻液处理该第三半导体堆叠结构，使得该第二蚀刻液渗入位于该第一基板与该第二型半导体外延层间的该些凸出结构之间的间隙中，使得该些凸出结构被蚀刻掉；以及

将该第一基板从该第三半导体堆叠结构移除，形成一包括有该第二基板以及一位于其上的外延成长层所构成的第四半导体堆叠结构。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中以该第一蚀刻液蚀刻该缓冲层之前，还包括形成一保护层包覆该外延成长层及该第二基板的表面。

3.如权利要求2所述的制作方法，其中移除该第一基板之后，还包括移除该保护层。

4.如权利要求2所述的制作方法，其中该保护层为抗酸碱反应的高分子光致抗蚀剂材料或无机材料。

5.如权利要求1所述的制作方法，其中该些凸出结构的形成方法包括光刻及蚀刻。

6.如权利要求1所述的制作方法，其中该些凸出结构为金属氧化物的纳米柱结构，每一该纳米柱结构的高度介于10纳米至10,000纳米之间。

7.如权利要求6所述的制作方法，其中该金属氧化物包括氧化镍。

8.如权利要求1所述的制作方法，其中两相邻的该些凸出结构的顶端相距为10纳米至1000纳米之间。

9.如权利要求1所述的制作方法，其中蚀刻该缓冲层的该第一蚀刻液为碱性蚀刻液。

10.如权利要求9所述的制作方法，其中该碱性蚀刻液包括氢氧化钾(KOH)或氢氧化钠(NaOH)。

11.如权利要求1所述的制作方法，其中蚀刻该些凸出结构的该第二蚀刻液为酸性蚀刻液。

12.如权利要求11所述的制作方法，其中该酸性蚀刻液包括硝酸(HNO3)、醋酸、盐酸或氢氟酸(HF)或其组合。

13.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二基板为导电基板。

14.如权利要求1所述的制作方法，其中该缓冲层的材质是氮化物。

15.如权利要求14所述的制作方法，其中该缓冲层的材质是选自氮化镓、氮化铝或氮化镓铝所构成的族群。

16.如权利要求1所述的制作方法，其中该外延成长层的材质是由周期表IIIA族元素的氮化物所构成。

17.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一型半导体外延层为P型半导体层，该第二型半导体外延层为N型半导体层。

18.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一型半导体外延层为N型半导体层，该第二型半导体外延层为P型半导体层。

19.如权利要求1所述的制作方法，其中该有源层包括有多个量子阱层。

20.如权利要求1所述的制作方法，还包括形成一未掺杂杂质氮化物外延层于该缓冲层与该第二型半导体外延层之间，且该未掺杂杂质氮化物外延层是由周期表IIIA族元素的氮化物所构成。