[发明专利]半导体的制造方法无效
| 申请号： | 201110354764.7 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103021923A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
1.一种半导体的制造方法，其特征在于包括：
在半导体基底上形成绝缘层；
移除部分所述绝缘层，以形成多个隔离结构以及位在所述隔离结构之间的网状开口，其特征在于所述的网状开口暴露出所述半导体基底；以及
进行选择性成长的方法，透过由所述网状开口暴露的所述半导体基底的表面成长半导体层，使得所述隔离结构位在所述半导体层中。
2.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，所述绝缘层包括氧化物。
3.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，移除部分所述绝缘层的方法包括：
在所述绝缘层上形成图案化掩模层；以及
透过所述图案化掩模层为掩模，移除部分所述绝缘层。
4.根据权利要求3所述的半导体的制造方法，其特征在于，所述图案化掩模层包括氮化物。
5.根据权利要求3所述的半导体的制造方法，其特征在于，所述半导体层的形成方法包括：
经由所述选择性成长的方法，使所述半导体层填满所述网状开口且覆盖位在所述隔离结构上的所述图案化掩模层；
透过所述图案化掩模层为终止层，对所述半导体层进行平坦化制程，以暴露出所述图案化掩模层；以及
移除所述图案化掩模层。
6.根据权利要求5所述的半导体的制造方法，其特征在于，所述平坦化制程的方法包括化学机械研磨制程。
7.根据权利要求5所述的半导体的制造方法，其特征在于，移除所述图案化掩模层的方法包括剥除制程。
8.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，各所述隔离结构的深宽比大于10。
9.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，各所述隔离结构的宽度介于20nm至30nm之间。
10.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，各所述隔离结构的高度介于200nm至300nm之间。
11.根据权利要求1所述的半导体的制造方法，其特征在于，所述半导体基底包括磊晶硅基底。
12.根据权利要求11所述的半导体的制造方法，其特征在于，所述选择性成长的方法包括选择性硅成长制程。
13.根据权利要求11所述的半导体的制造方法，其特征在于，所述半导体层包括磊晶硅层。
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