[发明专利]一种用于测定硅中杂质的方法

权利要求书

1.一种用于测定硅中杂质的方法，其中由待测硅通过区域精制来制备单晶棒；在至少一个稀释步骤中，将该单晶硅棒引入由具有限定的碳和掺杂物浓度的单晶硅或多晶硅制成的套管中，然后由该棒和套管通过区域精制而制备稀释的单晶硅棒；其中，通过光致发光法或者FTIR或者二者借助于稀释的单晶硅棒进行所述待测硅中的杂质的测定。

2.根据权利要求1中所述的方法，其中，在所述至少一个稀释步骤之前，所述待测硅具有的碳含量为至少1ppma，掺杂物含量为至少1ppba。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述至少一个稀释步骤后，用由具有限定的碳和掺杂物浓度的单晶硅或多晶硅制成的进一步套管和前面稀释步骤之后分别得到的新单晶硅棒进行进一步的稀释步骤，以便制备稀释的单晶硅棒。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，进行稀释步骤直到稀释的硅棒具有的碳含量小于1ppma，掺杂物含量小于1ppba。