[发明专利]带隙参考电压产生电路

权利要求书

1.一种带隙参考电压产生电路(bandgap reference voltage generator)，包括：

一第一电流产生电路，产生一具有正温度系数的一第一电流；

一第二电流产生电路，产生一具有负温度系数的一第二电流；以及

一输出电压产生电路，产生一大小等于该第一电流的一第三电流，产生一大小等于该第二电流的一第四电流，将该第三电流及该第四电流相加以产生接近于零温度系数的一汇合电流，以及依据该汇合电流产生一参考电压。

2.根据权利要求1所述的带隙参考电压产生电路，其特征在于，更包括：

一钳位电路，将该第一电流产生电路的一第一节点以及该第二电流产生电路的一第二节点以及一第三节点钳位至相同电压，产生一第一电压供给至该第一电流产生电路、该第二电流产生电路、以及该输出电压产生电路，以及产生一第二电压供给至该第二电流产生电路以及该输出电压产生电路。

3.根据权利要求2所述的带隙参考电压产生电路，其特征在于，该钳位电路包括：

一第一运算放大器，具有一正输入端耦接至该第一节点，具有一负输入端耦接至该第二节点，以及具有一输出端产生该第一电压；以及

一第二运算放大器，具有一正输入端耦接至该第三节点，具有一负输入端耦接至该第二节点，以及具有一输出端产生该第二电压。

4.根据权利要求2所述的带隙参考电压产生电路，其特征在于，该第一电流产生电路包括：

一第一PMOS晶体管，耦接于一电压源与该第一节点之间，具有一栅极耦接至该第一电压；

一第一电阻，耦接于该第一节点与一第四节点之间；以及

多个第一BJT晶体管，耦接于该第四节点与一地电位之间，其基极耦接至其集极；

其中该第一电流通过该第一PMOS晶体管的源极与汲极之间。

5.根据权利要求2所述的带隙参考电压产生电路，其特征在于，该第二电流产生电路包括：

一第二PMOS晶体管，耦接于一电压源与该第二节点之间，具有一栅极耦接至该第一电压；

一第二BJT晶体管，耦接于该第二节点与一地电位之间，其基极耦接至其集极；

一第三PMOS晶体管，耦接于该电压源与该第三节点之间，具有一栅极耦接至该第二电压；以及

一第二电阻，耦接于该第三节点与该地电位之间；

其中该第二电流通过该第三PMOS晶体管的源极与汲极之间。

6.根据权利要求2所述的带隙参考电压产生电路，其特征在于，该输出电压产生电路包括：

一第四PMOS晶体管，耦接于一电压源与一第五节点之间，具有一栅极耦接至该第一电压；

一第五PMOS晶体管，耦接于该电压源与该第五节点之间，具有一栅极耦接至该第二电压；以及

一第三电阻，耦接于该第五节点与一地电位之间；

其中该第三电流通过该第四PMOS晶体管的源极与汲极之间，该第四电流通过该第五PMOS晶体管的源极与汲极之间，该汇合电流流通过该第三电阻，而该参考电压为跨过该第三电阻的电压。

7.根据权利要求1所述的带隙参考电压产生电路，其特征在于，该第一电流及该第三电流的大小随温度上升而增加，该第二电流及该第四电流的大小随温度上升而减少，且该汇合电流的大小不随温度增减而变化。

8.一种带隙参考电压产生电路(bandgap reference voltage generator)，耦接于一电压源以及一地电位之间，包括：

一第一电流产生电路，产生一具有正温度系数的一第一电流；

一第二电流产生电路，产生一具有负温度系数的一第二电流；

一钳位电路，将该第一电流产生电路的一第一节点以及该第二电流产生电路的一第二节点以及一第三节点钳位至相同电压，并产生一第一电压以及一第二电压；以及

一输出电压产生电路，依据该第一电流以及该第二电流产生接近于零温度系数的一汇合电流，以及依据该汇合电流产生一参考电压。