[发明专利]一种锂电池均衡电路有效

专利信息
申请号: 201110352469.8 申请日: 2011-11-09
公开(公告)号: CN102403764B 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 陈宏;衣守忠;蒋野;张鹏 申请(专利权)人: 深圳市雄韬电源科技股份有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 锂电池 均衡 电路
【说明书】:

技术领域

发明属于均衡电路领域,尤其涉及一种锂电池均衡电路。

背景技术

锂电池的问世改变了世界电池体系,随之应运而生的新能源产品将在未来 给人类社会带来巨大变化。锂电池作为电池家族的新成员具有较强的优势,但 其仍然存在单体电池差异性,致使串联高电压应用时使用寿命大幅降低,安全 性能下降,为了避免电池过充电、过放电等问题电池管理系统随之而来。

所以电池组均衡问题是电池管理系统的重点。

传统的均衡电路采用定电压、电阻分流被动式均衡方式,这种均衡电路通 常在充电过程中当电池端电压达到某一设定值随即开启旁路电阻,进行分流; 此种均衡方式具有发热大、均衡效果差等缺点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种锂电池均衡电路,旨在解决现在的锂电池均衡 电路存在发热大、均衡效果差的问题。

本发明是这样实现的,一种锂电池均衡电路,分别与串接的锂电池BT1和 锂电池BT2连接,所述锂电池均衡电路包括:

均衡控制芯片U1、稳压芯片VR1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、 电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、第一开关管、第二开关管、第三开关 管、第四开关管和储能电感L1;

所述稳压芯片VR1的输入端接所述锂电池BT1的正极,所述稳压芯片VR1 的输出端接所述均衡控制芯片U1的电源端,所述稳压芯片VR1的接地端和均 衡控制芯片U1的接地端均接地,所述均衡控制芯片U1的第一检测端通过所述 电阻R2接所述锂电池BT1的正极,所述均衡控制芯片U1的第一检测端通过 电阻R5接地,所述电阻R4和电阻R8串接在所述锂电池BT2的正极和负极之 间,所述均衡控制芯片U1的第二检测端接所述电阻R4和电阻R8的公共连接 端,所述均衡控制芯片U1的第一控制端接所述第一开关管的控制端,所述第 一开关管的高电位端通过所述电阻R3接所述锂电池BT1的正极,所述第一开 关管的高电位端还接所述第三开关管的控制端,所述第一开关管的低电位端接 地,所述第二开关管的控制端接所述均衡控制芯片U1的第二控制端,所述第 二开关管的高电位端接所述锂电池BT1的正极,所述第二开关管的低电位端通 过所述电阻R6接地,所述第二开关管的低电位端还接所述第四开关管的控制 端,所述第三开关管的高电位端通过所述电阻R1接所述锂电池BT1的正极, 所述第三开关管的低电位端接所述第四开关管的高电位端,所述第四开关管的 低电位端通过所述电阻R7接地,所述储能电感L1连接在所述第三开关管和所 述第四开关管的公共连接端与所述锂电池BT1和所述锂电池BT2的公共连接端 之间。

上述结构中,所述第一开关管采用NPN型三极管Q1,所述NPN型三极管 Q1的基极为所述第一开关管的控制端,所述NPN型三极管Q1的集电极为所 述第一开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q1的发射极为所述第一开关管 的低电位端。

上述结构中,所述第一开关管采用N型MOS管Q5,所述N型MOS管 Q5的栅极为所述第一开关管的控制端,所述N型MOS管Q5的漏极为所述第 一开关管的高电位端,所述N型MOS管Q5的源极为所述第一开关管的低电 位端。

上述结构中,所述第二开关管采用PNP型三极管Q2,所述PNP型三极管 Q2的基极为所述第二开关管的控制端,所述PNP型三极管Q2的发射极为所述 第二开关管的高电位端,所述PNP型三极管Q2的集电极为所述第二开关管的 低电位端。

上述结构中,所述第二开关管采用P型MOS管Q6,所述P型MOS管Q6 的栅极为所述第二开关管的控制端,所述P型MOS管Q6的源极为所述第二开 关管的高电位端,所述P型MOS管Q6的漏极为所述第二开关管的低电位端。

上述结构中,所述第三开关管采用P型MOS管Q3,所述P型MOS管Q3 的栅极为所述第三开关管的控制端,所述P型MOS管Q3的漏极为所述第三开 关管的高电位端,所述P型MOS管Q3的源极为所述第三开关管的低电位端。

上述结构中,所述第三开关管采用PNP型三极管Q7,所述PNP型三极管 Q7的基极为所述第三开关管的控制端,所述PNP型三极管Q7的集电极为所述 第三开关管的高电位端,所述PNP型三极管Q7的发射极为所述第三开关管的 低电位端。

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