[发明专利]多晶硅薄膜无效
| 申请号： | 201110351983.X | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102956678A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云;郭海成;王文 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 苗青盛;王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜，包括：
玻璃衬底，
位于玻璃衬底上的硅氧化物，
位于硅氧化物上面的全部晶化的多晶硅层，
位于多晶硅层上的纳米二氧化硅层；
其特征在于，纳米二氧化硅层上蚀刻出多个诱导窗口，多个诱导窗口上涂布化学氧化层；该纳米二氧化硅层和化学氧化层上溅射布置镍硅氧化物层。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其中，所述硅氧化物为二氧化硅，其厚度为300nm。
3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其中，多晶硅层的厚度为45nm，纳米二氧化硅层的厚度为4nm，化学氧化层的厚度为1-2nm。
4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其中，纳米二氧化硅层的厚度为3纳米、4纳米、5纳米或者6纳米。
5.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其中，诱导窗口的宽度分别为1微米、3微米或者1-3微米中的一个，多晶硅层形成连续的带状结构。
6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其中，镍硅氧化物厚度分别为7埃、10埃、14埃或者这三者之间的一个厚度。
7.根据权利要求5所述的多晶硅薄膜，其中，连续的带状结构中的镍浓度低。
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