[发明专利]一种半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括：

a)提供衬底(100)；

b)在该衬底(100)之上形成伪栅堆叠，该伪栅堆叠包括栅极介质层(203)以及所述栅极介质层(203)上的伪栅(201)，所述伪栅(201)的材料是非晶硅；

c)对所述伪栅(201)两侧的所述衬底(100)上暴露的区域进行离子注入，以形成源/漏区(110)；

d)形成覆盖所述源/漏区(110)以及所述伪栅堆叠的层间介质层(400)；

e)除去所述层间介质层(400)的一部分以暴露所述伪栅(201)，并移除所述伪栅(201)；

f)执行源漏注入退火工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，在步骤a中，该方法还包括：

在所述衬底(100)中形成隔离区(120)。

3.根据权利要求1所述的方法，在步骤b中还包括形成所述伪栅堆叠后，形成围绕所述伪栅堆叠的侧墙(300)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述层间介质层(400)的材料包括SiO₂、碳掺杂SiO₂、BPSG、PSG、USG、Si₃N₄、低k材料或其组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤e包括：

使用TMAH溶移除所述伪栅(201)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

步骤f中执行的退火工艺的退火温度的范围是900摄氏度至1200摄氏度。