[发明专利]锗硅HBT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种锗硅HBT器件，包括有位于沟槽中的隔离结构，其特征是，所述隔离结构往下在衬底中依次形成有三个以上纵向接触的赝埋层，其中：最下方的赝埋层相互之间横向连接，最上方的赝埋层与所述隔离结构相接触且通过接触孔中的电极引出作为集电极，其余赝埋层则连接最下方和最上方的赝埋层。

2.根据权利要求1所述的锗硅HBT器件，其特征是，除最下方的赝埋层以外，其余赝埋层在横向上相互独立。

3.根据权利要求2所述的锗硅HBT器件，其特征是，集电区由两个沟槽中的隔离结构和各个赝埋层所围成。

4.根据权利要求1所述的锗硅HBT器件，其特征是，所述沟槽的截面形状为正梯形，即沟槽顶部开口的宽度小于沟槽底部的宽度。

5.根据权利要求3或4所述的锗硅HBT器件，其特征是，所述集电区的截面形状为倒T型，即集电区底部的宽度大于集电区顶部的宽度，且中间具有向内的凸起。

6.根据权利要求5所述的锗硅HBT器件，其特征是，最上方的赝埋层与集电区的中间凸起的间距越大，则击穿电压越高，特征频率越低；所述间距越小，则击穿电压越低，特征频率越高。

7.一种锗硅HBT器件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在衬底上刻蚀沟槽；

第2步，在沟槽底部进行多次不同能量的离子注入，形成从沟槽底部往下依次接触的三个以上的赝埋层，最下方的赝埋层还在横向上相互连接；

第3步，以介质填充沟槽形成隔离结构，并对两个沟槽之间的衬底进行离子注入形成集电区；

第4步，在硅片表面淀积第一介质并刻蚀出基区开口，接着在硅片表面淀积一层锗硅材料并刻蚀，仅保留集电区之上的锗硅材料和第一介质；

第5步，在硅片表面淀积第二介质并刻蚀出发射极窗口，接着在硅片表面淀积一层多晶硅并刻蚀，仅保留所述基区开口区域之上的多晶硅和第二介质，最后形成侧墙；

第6步，在硅片表面淀积第三介质并进行抛光，接着在第三介质中刻蚀通孔，包括与发射极相接触的第一通孔、与第一介质相接触的第二通孔、以及与第三赝埋层相接触的第三通孔，最后以金属填充这些通孔。

8.根据权利要求7所述的锗硅HBT器件的制造方法，其特征是，所述方法第2步中，按照从下往上的顺序依次形成各个纵向相互接触的赝埋层。